[发明专利]压力传感器芯片有效

专利信息
申请号: 201310080442.7 申请日: 2013-03-13
公开(公告)号: CN103308241A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 濑户祐希;德田智久 申请(专利权)人: 阿自倍尔株式会社
主分类号: G01L9/04 分类号: G01L9/04
代理公司: 上海市华诚律师事务所 31210 代理人: 肖华
地址: 日本东京都千代田*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 压力传感器 芯片
【权利要求书】:

1.一种压力传感器芯片,包括:传感器隔膜,其输出与压力差相应的信号;和使其周边部与该传感器隔膜的一面以及另一面、对面接合的第一以及第二保持构件,其特征在于,

在所述第一保持构件的周边部的与所述传感器隔膜的一个面对面的区域当中,外周侧的区域为与所述传感器隔膜的一面接合的接合区域,内周侧的区域为未与所述传感器隔膜的一面接合的非接合区域。

2.根据权利要求1所述的压力传感器芯片,其特征在于,

所述传感器隔膜的所述一面为高压侧的测量压力的受压面;

所述另一面为低压侧的测量压力的受压面。

3.根据权利要求1所述的压力传感器芯片,其特征在于,

在所述第二保持构件的周边部的与所述传感器隔膜的另一面面对面的区域当中,外周侧的区域为与所述传感器隔膜的另一面接合的接合区域,内周侧的区域为未与所述传感器隔膜的另一面接合的非接合区域。

4.根据权利要求1所述的压力传感器芯片,其特征在于,

所述第一保持构件的周边部的非接合区域被做成微小的台阶,所述微小的台阶相对于所述传感器隔膜的厚度被规定为规定的比例以下。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的压力传感器芯片,其特征在于,

所述第一保持构件或者所述第二保持构件具有凹部,

所述凹部对所述传感器隔膜被外加过大压力时的该传感器隔膜的过度的位移进行阻止。

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