[发明专利]电子电路和电子器件有效
| 申请号： | 201310075254.5 | 申请日： | 2008-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103200475A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 乔斯·路易斯·塞巴洛;迈克尔·克罗普菲奇 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R1/04 | 分类号： | H04R1/04 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;李慧 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子电路 电子器件 | ||
1.一种与麦克风一起使用的电子电路，所述电子电路被配置以：
响应于所述麦克风提供的在预定工作范围内的电信号而在第一阻抗下将所述麦克风电性耦接至偏置电压源；以及
响应于所述麦克风提供的不在预定工作范围内的电信号而在第二阻抗下将所述麦克风电性耦接至所述偏置电压源；
所述电子电路包括：
第一电路排列，具有沿第一极化方向以串联电路取向耦接的一个或多个电子元件；以及
第二电路排列，具有沿第二极化方向以串联电路取向耦接的一个或多个电子元件。
2.根据权利要求1所述的电子电路，其中，
所述沿第一极化方向以串联电路取向耦接的一个或多个电子元件分别是二极管；以及
所述沿第二极化方向以串联电路取向耦接的一个或多个电子元件分别是二极管。
3.根据权利要求1所述的电子电路，其中，
所述沿第一极化方向以串联电路取向耦接的一个或多个电子元件分别是金属氧化物半导体(MOS)晶体管；以及
所述沿第二极化方向以串联电路取向耦接的一个或多个电子元件分别是金属氧化物半导体(MOS)晶体管。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的电子电路，其中，电子电路的至少一部分被制作在65纳米环境内。
5.一种电子装置，包括：
被配置以接收来自麦克风的电信号的节点；
制作在基底上的电路排列，所述电路排列被配置为响应于来自所述麦克风的在预定工作范围内的电信号而沿极化方向在第一阻抗下将所述节点电性耦接至偏置电压源，所述电路排列还被配置为响应于来自所述麦克风的不在预定工作范围内的电信号而沿所述极化方向在第二阻抗下将所述节点电性耦接至所述偏置电压源；
所述电子电路包括：
第一电路排列，具有沿第一极化方向以串联电路取向耦接的一个或多个电子元件；以及
第二电路排列，具有沿第二极化方向以串联电路取向耦接的一个或多个电子元件。
6.根据权利要求5所述的电子装置，其中，所述沿第一极化方向以串联电路取向耦接的一个或多个电子元件分别是二极管；所述沿第二极化方向以串联电路取向耦接的一个或多个电子元件分别是二极管。
7.根据权利要求5所述的电子装置，其中，所述沿第一极化方向以串联电路取向耦接的一个或多个电子元件分别是金属氧化物半导体(MOS)晶体管；所述沿第二极化方向以串联电路取向耦接的一个或多个电子元件分别是金属氧化物半导体(MOS)晶体管。
8.根据权利要求5-7中任一项所述的电子装置，其中，电子电路的至少一部分被制作在65纳米环境内。
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