[发明专利]一种基于金属诱导的多晶硅薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种基于金属诱导的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤： 

1）玻璃基底的准备：将玻璃基底分别在丙酮和去离子水中超声清洗，并用氮气吹干备用；

2）采用射频磁控溅射技术在玻璃基底的表面溅射沉积形成金属诱导薄膜，溅射气氛为氩气，溅射功率为50~250W，氩气压力为0.2~1.5Pa；

3）先将上述金属诱导薄膜暴露在空气中自然氧化12~48h，在金属诱导薄膜的表面形成金属氧化物缓冲层，然后采用射频磁控溅射技术在该金属氧化物缓冲层的表面溅射沉积形成a-Si:H前驱体薄膜，得到具有叠层结构薄膜的玻璃基底，溅射气氛为氩气和氢气的混合气体，溅射功率为250~350W，混合气体压力为0.2~1.2Pa；

4）将上述具有叠层结构薄膜的玻璃基底进行快速热退火，退火温度为480~550℃，退火时间为2~60min，自然冷却后在玻璃基底的表面得到基于金属诱导的多晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种基于金属诱导的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于在步骤3）中，所述的氩气和氢气的混合气体中，氢气的体积百分含量为3~25%。

3.根据权利要求2所述的一种基于金属诱导的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于氢气的体积百分含量为15~20%。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种基于金属诱导的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于所述的a-Si:H前驱体薄膜的厚度大于所述的金属诱导薄膜的厚度。

5.根据权利要求1或2或3所述的一种基于金属诱导的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于所述的金属诱导薄膜为铝诱导薄膜，所述的金属氧化物缓冲层为铝氧化物缓冲层，所述的基于金属诱导的多晶硅薄膜为基于铝诱导的多晶硅薄膜。