[发明专利]离形层、应用其的可挠式装置及可挠式基板的制造方法有效
申请号: | 201310070744.6 | 申请日: | 2013-03-06 |
公开(公告)号: | CN103943543A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 蔡宝鸣;江良佑 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离形层 应用 可挠式 装置 可挠式基板 制造 方法 | ||
技术领域
本公开内容涉及一种离形层、应用其的可挠式装置、及应用其的可挠式基板的制造方法,且特别是涉及一种相对两个表面上的氢氧基数量不同的离形层、应用其的可挠式装置、及应用其的可挠式基板的制造方法。
背景技术
玻璃显示器具有易碎、不耐冲击以及高重量及厚度的缺点,已无法满足目前个人数字随身产品对于轻量化、薄型化及可挠曲使用等需求。以软性基板取代玻璃作为显示器基板不但可以解决上述问题,更可提供平面显示器在外型与卷曲性的设计自由度,因此可挠式显示器已逐渐成为目前主要的研究趋势。
目前在可挠式显示器的制作工艺中,通常会先在一载具上先行制作离型层后并涂布软性基板,并在软性基板上完成后段元件制作工艺(例如薄膜晶体管阵列制作工艺等)后,再取下载具,即完成整个可挠式显示器的制作流程。
因此,在整个制作工艺完成后,如何将可挠式显示器元件轻易地且有效地自载具上离型并且不破坏元件,已经成为相关业者致力研究的目标。
发明内容
本发明的目的在于提供一种离形层、应用其的可挠式装置、及应用其的可挠式基板的制造方法。离形层中的第一表面上氢氧基(hydroxyl group)的数量小于相对的第二表面上氢氧基的数量,含有较少数量的氢氧基的表面和具有含氧官能基的膜层之间具有较低的附着力,因此,具有含氧官能基的膜层可以轻易地自离形层的含有较少数量的氢氧基的表面脱离。
为达上述目的,本发明提出一种离形层。离形层包括一包含氢氧基(hydroxyl group)的硅氧烷类材料,离形层的一第一表面上氢氧基的数量小于相对的一第二表面上氢氧基的数量。
本发明还提出一种可挠式装置。可挠式装置包括一离形层以及一可挠式基板。离形层包括一包含氢氧基的硅氧烷类材料,离形层的一第一表面上氢氧基的数量小于相对的一第二表面上氢氧基的数量。可挠式基板形成于离形层的第二表面上。
本发明还提出一种可挠式基板的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一硬质基板(rigid substrate)。形成一离形层于硬质基板上,离形层包括一包含氢氧基的硅氧烷类材料,离形层的一第一表面上氢氧基的数量小于相对的一第二表面上氢氧基的数量,硬质基板邻接于离形层的第一表面和第二表面其中之一。提供一可挠式基板材料层于离形层的第一表面和第二表面中的另一者上。接合可挠式基板材料层以形成一可挠式基板于离形层上。
为了对本公开内容的上述及其他方面有更佳的了解,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下:
附图说明
图1绘示本公开内容的一实施例的离形层的示意图;
图2绘示本公开内容的另一实施例的离形层的示意图;
图3绘示本公开内容的又一实施例的离形层的示意图;
图4绘示本公开内容的一实施例的可挠式装置的示意图;
图5A至图5D绘示依照本发明的一实施例的一种可挠式基板的制造方法示意图;
图6A至图6B绘示依照本发明的另一实施例的一种可挠式基板的制造方法示意图。
主要元件符号说明
10:可挠式装置
100、200、300:离形层
100a、200a、300a:第一表面
100b、200b、300b:第二表面
210:第一离形层
220:第二离形层
330:界面层
400:可挠式基板
500:硬质基板
T1~T3:厚度
具体实施方式
本公开内容的实施例中,离形层的第一表面上氢氧基的数量小于相对的第二表面上氢氧基的数量,含有较少数量的氢氧基的表面和具有含氧官能基的膜层之间具有较低的附着力,因此,具有含氧官能基的膜层可以轻易地自离形层的含有较少数量的氢氧基的表面脱离。以下参照所附附图详细叙述本公开内容的实施例。附图中相同的标号用以标示相同或类似的部分。需注意的是,附图已简化以利清楚说明实施例的内容,实施例所提出的细部结构仅为举例说明之用,并非对本公开内容欲保护的范围做限缩。具有通常知识者当可依据实际实施态样的需要对该些结构加以修饰或变化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造