[发明专利]离形层、应用其的可挠式装置及可挠式基板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201310070744.6 申请日: 2013-03-06
公开(公告)号: CN103943543A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 蔡宝鸣;江良佑 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 离形层 应用 可挠式 装置 可挠式基板 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种离形层,包括一包含氢氧基(hydroxyl group)的硅氧烷类材料,该离形层的一第一表面上氢氧基的数量小于相对的一第二表面上氢氧基的数量。

2.如权利要求1所述的离形层,该离形层中的氢氧基的数量自该离形层的该第一表面朝向相对的该第二表面递增。

3.如权利要求1所述的离形层,其中,该离形层中的甲基(methyl group)的数量自该离形层的该第一表面朝向相对的该第二表面递减。

4.如权利要求3所述的离形层,其中在该第二表面上,氢氧基的数量大于甲基的数量。

5.如权利要求1所述的离形层,其中该离形层的厚度为1纳米至10微米。

6.如权利要求1所述的离形层,还包括:

第一离形层,位于该第一表面侧;以及

第二离形层,位于该第二表面侧,其中该第一离形层中的氢氧基的数量小于该第二离形层中的氢氧基的数量。

7.如权利要求6所述的离形层,还包括一界面层,位于该第一离形层和该第二离形层之间。

8.一种可挠式装置,包括:

离形层,包括一包含氢氧基的硅氧烷类材料,该离形层的一第一表面上氢氧基的数量小于相对的一第二表面上氢氧基的数量;以及

可挠式基板,形成于该离形层的该第二表面上。

9.如权利要求8所述的可挠式装置,其中该离形层中的氢氧基的数量自该离形层的该第一表面朝向相对的该第二表面递增。

10.如权利要求8所述的可挠式装置,其中,该离形层中的甲基的数量自该离形层的该第一表面朝向相对的该第二表面递减。

11.如权利要求10所述的可挠式装置,其中在该第二表面上,氢氧基的数量大于甲基的数量。

12.如权利要求8所述的离形层,其中该离形层的厚度为1纳米至10微米。

13.如权利要求8所述的可挠式装置,该可挠式基板的材质包括聚亚酰胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚砜(polyethersulfone,PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate,PA)、聚原冰烯(polynorbornene,PNB)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚醚醚酮(polyetheretherketone,PEEK)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)和聚醚亚酰胺(polyetherimide,PEI)的其中之一。

14.如权利要求8所述的可挠式装置,其中该可挠式基板的材质包括多个无机粒子。

15.如权利要求14所述的可挠式装置,其中该些无机粒子的材质为粘土(clay)和二氧化硅(SiO2)的其中之一或两者的组合。

16.如权利要求8所述的可挠式装置,还包括一显示元件(display element)形成于该可挠式基板上。

17.如权利要求8所述的可挠式装置,还包括一电子元件(electronicelement)形成于该可挠式基板上。

18.如权利要求8所述的可挠式装置,其中该离形层还包括:

第一离形层位于该第一表面侧;以及

第二离形层位于该第二表面侧,其中该第一离形层中的氢氧基的数量小于该第二离形层中的氢氧基的数量。

19.如权利要求18所述的可挠式装置,其中该离形层还包括一界面层位于该第一离形层和该第二离形层之间。

20.一种可挠式基板的制造方法,包括:

提供一硬质基板(rigid substrate);

形成一离形层于该硬质基板上,该离形层包括一包含氢氧基的硅氧烷类材料,该离形层的一第一表面上氢氧基的数量小于相对的一第二表面上氢氧基的数量,其中该硬质基板邻接于该离形层的该第一表面和该第二表面其中之一;

提供一可挠式基板材料层于该离形层的该第一表面和该第二表面中的另一者上;

接合该可挠式基板材料层以形成一可挠式基板于该离形层上。

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