[发明专利]离形层、应用其的可挠式装置及可挠式基板的制造方法有效
申请号: | 201310070744.6 | 申请日: | 2013-03-06 |
公开(公告)号: | CN103943543A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 蔡宝鸣;江良佑 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 离形层 应用 可挠式 装置 可挠式基板 制造 方法 | ||
1.一种离形层,包括一包含氢氧基(hydroxyl group)的硅氧烷类材料,该离形层的一第一表面上氢氧基的数量小于相对的一第二表面上氢氧基的数量。
2.如权利要求1所述的离形层,该离形层中的氢氧基的数量自该离形层的该第一表面朝向相对的该第二表面递增。
3.如权利要求1所述的离形层,其中,该离形层中的甲基(methyl group)的数量自该离形层的该第一表面朝向相对的该第二表面递减。
4.如权利要求3所述的离形层,其中在该第二表面上,氢氧基的数量大于甲基的数量。
5.如权利要求1所述的离形层,其中该离形层的厚度为1纳米至10微米。
6.如权利要求1所述的离形层,还包括:
第一离形层,位于该第一表面侧;以及
第二离形层,位于该第二表面侧,其中该第一离形层中的氢氧基的数量小于该第二离形层中的氢氧基的数量。
7.如权利要求6所述的离形层,还包括一界面层,位于该第一离形层和该第二离形层之间。
8.一种可挠式装置,包括:
离形层,包括一包含氢氧基的硅氧烷类材料,该离形层的一第一表面上氢氧基的数量小于相对的一第二表面上氢氧基的数量;以及
可挠式基板,形成于该离形层的该第二表面上。
9.如权利要求8所述的可挠式装置,其中该离形层中的氢氧基的数量自该离形层的该第一表面朝向相对的该第二表面递增。
10.如权利要求8所述的可挠式装置,其中,该离形层中的甲基的数量自该离形层的该第一表面朝向相对的该第二表面递减。
11.如权利要求10所述的可挠式装置,其中在该第二表面上,氢氧基的数量大于甲基的数量。
12.如权利要求8所述的离形层,其中该离形层的厚度为1纳米至10微米。
13.如权利要求8所述的可挠式装置,该可挠式基板的材质包括聚亚酰胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚砜(polyethersulfone,PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate,PA)、聚原冰烯(polynorbornene,PNB)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚醚醚酮(polyetheretherketone,PEEK)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)和聚醚亚酰胺(polyetherimide,PEI)的其中之一。
14.如权利要求8所述的可挠式装置,其中该可挠式基板的材质包括多个无机粒子。
15.如权利要求14所述的可挠式装置,其中该些无机粒子的材质为粘土(clay)和二氧化硅(SiO2)的其中之一或两者的组合。
16.如权利要求8所述的可挠式装置,还包括一显示元件(display element)形成于该可挠式基板上。
17.如权利要求8所述的可挠式装置,还包括一电子元件(electronicelement)形成于该可挠式基板上。
18.如权利要求8所述的可挠式装置,其中该离形层还包括:
第一离形层位于该第一表面侧;以及
第二离形层位于该第二表面侧,其中该第一离形层中的氢氧基的数量小于该第二离形层中的氢氧基的数量。
19.如权利要求18所述的可挠式装置,其中该离形层还包括一界面层位于该第一离形层和该第二离形层之间。
20.一种可挠式基板的制造方法,包括:
提供一硬质基板(rigid substrate);
形成一离形层于该硬质基板上,该离形层包括一包含氢氧基的硅氧烷类材料,该离形层的一第一表面上氢氧基的数量小于相对的一第二表面上氢氧基的数量,其中该硬质基板邻接于该离形层的该第一表面和该第二表面其中之一;
提供一可挠式基板材料层于该离形层的该第一表面和该第二表面中的另一者上;
接合该可挠式基板材料层以形成一可挠式基板于该离形层上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院,未经财团法人工业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310070744.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种低速粉碎装置
- 下一篇:再生胶炼胶生产线胶粉的储料配送装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造