[发明专利]存储器系统无效
申请号: | 201310068682.5 | 申请日: | 2013-03-05 |
公开(公告)号: | CN103678188A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 松永直记 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘薇;陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 系统 | ||
相关申请
本申请以日本专利申请2012-196157(申请日:2012年9月6日)为基础,并享受其优先权。本申请通过参考该日本专利申请而包含该日本专利申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及存储器系统。
背景技术
随着非易失性半导体存储装置的高速化,这种装置上的零件有发热、消耗电力增加的趋势。进一步地,随着这种装置的小型化,即使是同样的热量,也由于设备的小型化,与以前相比,零件间的距离缩短,因此,如果存在发热的零件,则容易受到该热的影响。这种装置的控制器承担各种任务的部分的发热变大。因此,热对非易失性半导体的可靠性的影响不可忽视。
发明内容
本发明的一个实施方式的目的在于提供一种很难受到来自存储器控制器的热的影响的存储器系统。
本发明的一种实施方式的存储器系统包括多个非易失性存储器芯片和基于固件控制上述非易失性存储器芯片的存储器控制器。上述固件被写入在距离上述存储器控制器最远处配置的上述非易失性存储器芯片中。
附图说明
图1是表示实施方式的存储器系统的构成的图。
图2是表示着眼于存储器控制器和NAND芯片的配置的存储器系统的构成的图。
图3是表示着眼于存储器控制器和NAND芯片的配置的存储器系统的构成的图。
图4是表示隔着安装基板而在与存储器控制器相反一侧的背面配置的NAND芯片的图。
图5是表示着眼于存储器控制器和NAND芯片的配置的存储器系统的构成的图。
图6是表示着眼于存储器控制器和NAND芯片的配置的存储器系统的构成的图。
图7是表示着眼于存储器控制器和NAND芯片的配置的存储器系统的构成的图。
图8是表示着眼于存储器控制器和NAND芯片的配置的存储器系统的构成的图。
图9是表示着眼于存储器控制器和NAND芯片的配置的存储器系统的构成的图。
图10是表示着眼于存储器控制器和NAND芯片的配置的存储器系统的构成的图。
图11是表示着眼于存储器控制器和NAND芯片的配置的存储器系统的构成的图。
图12是表示着眼于存储器控制器和NAND芯片的配置的存储器系统的构成的图。
图13是表示着眼于存储器控制器和NAND芯片的配置的存储器系统的构成的图。
图14是表示着眼于存储器控制器和NAND芯片的配置的存储器系统的构成的图。
图15是表示第2实施方式的存储器系统的构成的图。
图16是表示第3实施方式的存储器系统的构成的图。
图17是表示涉及第3实施方式的数据保持寿命的改写次数依赖性的图。
图18是表示涉及第3实施方式的权重系数表的图。
符号说明:
1:存储器系统;2:存储器控制器;3:DRAM;4:主机接口;5:主机;10、100:NAND芯片
具体实施方式
以下参照附图详细说明实施方式所涉及的存储器系统。另外,本发明并不限于这些实施方式。
第1实施方式
图1是表示第1实施方式的存储器系统1的构成的图。在作为SSD(固态驱动器)等非易失性半导体存储装置的存储器系统1中,一般地,存储器控制器2被配置在经由电源电路靠近端子的位置,NAND芯片10、11、…、16、100被配置在基板上的空闲位置处以维持等效布线。在此,多个NAND芯片10、11、…、16、100距离控制器2的位置各自不同。
一般地,已经知道非易失性半导体的数据保持性能是温度的函数,温度越高,保持时间越短。如果考虑存储器控制器2在存储器系统1的基板上的零件中发热最多,则一般认为在多个NAND芯片10、11、…、16、100中,也是距离控制器2最近而最容易受到热的影响的NAND芯片10最容易劣化,距离存储器控制器2最远而最难受到热的影响的NAND芯片100最难以劣化。
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