[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201310068028.4 | 申请日： | 2013-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN104037078A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 邓武锋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
步骤S101：提供前端器件，在所述前端器件上形成包括凸起区域和凹陷区域的层间介电层；
步骤S102：在所述层间介电层的凹陷区域的上方形成图形化的光刻胶；
步骤S103：以所述图形化的光刻胶为掩膜对所述层间介电层进行离子注入，在所述凸起区域形成离子注入区；
步骤S104：去除所述图形化的光刻胶；
步骤S105：对所述层间介电层进行化学机械抛光，去除所述凸起区域，形成平坦化的层间介电层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述前端器件包括半导体衬底和形成于所述半导体衬底上的器件。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中，形成所述层间介电层的方法为化学气相沉积法或物理气相沉积法。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S102包括：在所述前端器件上形成覆盖所述层间介电层的光刻胶，对所述光刻胶进行图形化，光刻去除所述光刻胶位于所述层间介电层的凸起区域的部分。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，离子注入的深度小于等于所述层间介电层的凸起区域的高度。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述层间介电层的凸起区域的高度为
7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，所述离子注入采用的离子为以下物质中的至少一种：H、C、N、B、BF2、In、P、As和Sb。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，离子注入的能量为5KeV～200KeV，离子注入的剂量为1E14cm-2～5E15cm-2。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104中，去除所述图形化的光刻胶的方法为干法刻蚀或湿法刻蚀。
10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105中，所述化学机械抛光采用的研磨浆料为氧化铈或硅。
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