[发明专利]一种热隔离式MEMS微波功率传感器

权利要求书

1.一种热隔离式MEMS微波功率传感器，包括MEMS微波功率传感器，其特征在于，在MEMS微波功率传感器外围设置有隔离环。

2.根据权利要求1所述的热隔离式MEMS微波功率传感器，其特征在于，所述隔离环深度为90um，宽度为5um。

3.根据权利要求2所述的热隔离式MEMS微波功率传感器，其特征在于，所述隔离环为方形。

4.一种制造权利要求3所述的热隔离式MEMS微波功率传感器的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)外延生成掺杂浓度10¹⁸cm^-3，方块电阻100-130Ω/□的砷化镓衬底；

2)在砷化镓衬底上依次外延生长铝镓砷薄膜和N⁺砷化镓；

3)反刻N⁺砷化镓，形成掺杂浓度10¹⁷cm^-3的热电堆半导体热偶臂；

4)光刻并去除热电堆金属臂处的光刻胶，形成热电堆金属臂图案；

5)溅射金锗镍/金，金锗镍/金的厚度为270nm；

6)剥离多余的金属，形成热电堆的金属热偶臂；

7)光刻并去除氮化钽电阻处的光刻胶；

8)淀积氮化钽形成电阻，厚度为2um，电阻为25Ω/□；

9)剥离多余的氮化钽以形成氮化钽电阻；

10)光刻并去除共面波导传输线处的光刻胶；

11)蒸发第一层金，其厚度为0.3um；

12)溅射钛/金/钛，作为共面波导传输线的种子层，厚度为50/150/30nm；

13)光刻并去除共面波导传输线处的光刻胶；

14)去除顶层的钛层，然后电镀2um厚的金，形成共面波导传输线；

15)减薄砷化镓衬底至100μm；

16)背面光刻，并去除在砷化镓背面形成膜结构地方的光刻胶；

17)刻蚀减薄终端电阻和热电堆的热端下方的砷化镓衬底，背面刻蚀至铝镓砷薄膜；

18)沿着功率传感器的外围，正面通过等离子体干法刻蚀工艺刻蚀一个隔离环。

5.根据权利要求4所述的一种制造权利要求3所述的热隔离式MEMS微波功率传感器的方法，其特征在于，步骤18)中所述隔离环的深度为90um，宽度为5um。