[发明专利]多层陶瓷电容器、电路板的安装结构以及封装单元

权利要求书

1.一种多层陶瓷电容器，该多层陶瓷电容器包括：

陶瓷本体，该陶瓷本体内层压有多个电介质层；

工作层，该工作层包括多个第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和第二内电极之间插入单个所述电介质层以形成电容，所述第一内电极和所述第二内电极穿过所述陶瓷本体的各个端表面交替地暴露；

上覆盖层，该上覆盖层形成在所述工作层的上方；

下覆盖层，该下覆盖层形成在所述工作层的下方，并且所述下覆盖层比所述上覆盖层厚；

伪电极，该伪电极形成在所述上覆盖层和所述下覆盖层中的至少一者内，以使所述伪电极通过所述陶瓷本体的顶表面或底表面可见，并且所述伪电极不形成电容，以及

第一外电极和第二外电极，所述第一外电极和所述第二外电极覆盖所述陶瓷本体的两个端表面，

其中，当A定义为所述陶瓷本体的总厚度的1/2、B定义为所述下覆盖层的厚度、C定义为所述工作层的总厚度的1/2并且D定义为所述上覆盖层的厚度时，

所述工作层的中心与所述陶瓷本体的中心之间的偏离比值（B+C）/A满足1.063≤（B+C）/A≤1.745。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述上覆盖层的厚度（D）与所述下覆盖层的厚度（B）的比值D/B满足0.021≤D/B≤0.422。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述下覆盖层的厚度（B）与所述陶瓷本体的总厚度的1/2（A）的比值B/A满足0.329≤B/A≤1.522。

4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述工作层的总厚度的1/2（C）与所述下覆盖层的厚度（B）的比值C/B满足0.146≤C/B≤2.458。

5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述上覆盖层的未形成所述伪电极的端部的厚度为4μm到30μm。

6.根据权利要求5所述的多层陶瓷电容器，其中，所述伪电极形成为邻近所述陶瓷本体的顶表面。

7.根据权利要求5所述的多层陶瓷电容器，其中，所述伪电极通过使用与设置在所述工作层的最上部中的内电极具有相同方向性的内电极形成。

8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述下覆盖层的未形成所述伪电极的端部的厚度为4μm到30μm。

9.根据权利要求8所述的多层陶瓷电容器，其中，所述伪电极形成为邻近所述陶瓷本体的底表面。

10.根据权利要求8所述的多层陶瓷电容器，其中，所述伪电极通过使用与设置在所述工作层的最下部中的内电极具有相同方向性的内电极形成。

11.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述伪电极形成在所述上覆盖层和所述下覆盖层的每一个内，并且形成在所述上覆盖层内的所述伪电极和形成在所述下覆盖层内的所述伪电极具有不同形状。

12.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述伪电极包括第一伪电极和第二伪电极，所述第一伪电极通过所述上覆盖层或所述下覆盖层的一个端表面暴露，所述第二伪电极通过所述上覆盖层或所述下覆盖层的另一个端表面暴露，所述第一伪电极和第二伪电极在相同的水平面内具有间隔地彼此相对。

13.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述伪电极与所述上覆盖层或所述下覆盖层的两个端表面间隔开。

14.根据权利要求13所述的多层陶瓷电容器，其中，所述伪电极具有的长度使得所述伪电极沿所述陶瓷本体的厚度方向能够部分地与所述第一外电极和第二外电极的覆盖所述陶瓷本体顶表面和底表面的至少一部分的部分重叠。

15.根据权利要求13所述的多层陶瓷电容器，其中，所述伪电极具有的长度使得所述伪电极沿所述陶瓷本体的厚度方向能够不与所述第一外电极和第二外电极的覆盖所述陶瓷本体顶表面和底表面的至少一部分的部分重叠。

16.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，该多层陶瓷电容器还包括形成在所述下覆盖层的一部分内的伪电极，该形成在所述下覆盖层的一部分内的伪电极接近所述工作层的下端，并且不形成电容。