[发明专利]一种微孔金属填充结构及方法有效
申请号: | 201310064231.4 | 申请日: | 2013-02-28 |
公开(公告)号: | CN103107129A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 顾杰斌;黄绪国;李昕欣;杨恒;江翔 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;湖州中微科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微孔 金属 填充 结构 方法 | ||
1.一种微孔金属填充结构,其特征在于,所述微孔金属填充结构包括:
密封腔,包括进出气孔;
三明治结构,包括由上至下依次叠加阻挡片、填充基片和喷嘴片;所述填充基片夹在所述阻挡片和喷嘴片之间;所述填充基片上设有填充微孔;所述喷嘴片上设有与所述填充微孔垂直对应的喷嘴孔;所述阻挡片与填充基片之间设有第一间隙;所述填充基片与喷嘴片之间设有第二间隙;所述喷嘴孔最窄处的半径小于所述填充微孔的半径的1/2以上;
所述三明治结构水平设置在所述空间中,且三明治结构的侧壁全部嵌入到所述密封腔内;所述喷嘴片的下表面用以在金属填充时紧贴一液态金属槽的上表面;所述密封腔内的气压与所述第一间隙、填充微孔、第二间隙以及喷嘴孔的气压均相同。
2.根据权利要求1所述的微孔金属填充结构,其特征在于:每个所述填充微孔垂直对应至少一个喷嘴孔。
3.根据权利要求1所述的微孔金属填充结构,其特征在于:所述密封腔包括外密封圈、内密封圈、密封盖、密封底;所述外密封圈的高度大于所述内密封圈的高度;所述外密封圈的底部与所述密封底的外边缘连接,所述内密封圈的底端与所述密封底的内边缘连接;所述密封盖的外边缘与所述外密封圈的顶部连接,密封盖的内边缘与所述三明治结构的顶部固定连接;所述内密封圈的顶部与所述三明治结构的底部固定连接;所述外密封圈、密封盖、三明治结构、液态金属槽、内密封圈和密封底构成密闭空间。
4.根据权利要求1所述的微孔金属填充结构,其特征在于:所述密封腔包括外密封圈、内密封圈、密封架、密封底、压盖;所述外密封圈的高度大于所述内密封圈的高度;所述外密封圈的底部与所述密封底的外边缘连接,所述内密封圈的底端与所述密封底的内边缘连接;所述密封架的底部边缘与所述外密封圈的顶部连接,密封架的顶部边缘通过蝶形波纹管与所述压盖的边缘紧密连接;所述压盖压放在所述三明治结构的上表面;所述内密封圈的顶部与所述三明治结构的底部固定连接;所述外密封圈、密封架、蝶形波纹管、压盖、三明治结构、液态金属槽、内密封圈和密封底构成密闭空间。
5.根据权利要求1所述的微孔金属填充结构,其特征在于:所述密封腔包括外密封圈、密封架、密封底、压盖、第一蝶形波纹管、第二蝶形波纹管;所述外密封圈的底部与所述密封底的外边缘连接;所述密封架的底部边缘与所述外密封圈的顶部连接,密封架的顶部边缘通过所述第一蝶形波纹管与所述压盖的边缘紧密连接;所述压盖压放在所述三明治结构的上表面;所述三明治结构压放于所述液态金属槽的上表面;所述液态金属槽的侧面通过所述第二蝶形波纹管与所述密封底的内边缘连接;所述外密封圈、密封架、第一蝶形波纹管、压盖、三明治结构、液态金属槽、第二蝶形波纹管和密封底构成密闭空间。
6.根据权利要求1所述的微孔金属填充结构,其特征在于:所述阻挡片的下表面设有第一凸起结构,所述第一凸起结构使所述阻挡片与所述填充基片之间形成所述第一缝隙;所述喷嘴片的上表面设有第二凸起结构,所述第二凸起结构使所述喷嘴片与所述填充基片之间形成所述第二缝隙。
7.根据权利要求1所述的微孔金属填充结构,其特征在于:所述阻挡片的下表面设有第一垫圈,所述第一垫圈使所述阻挡片与所述填充基片之间形成所述第一缝隙;所述喷嘴片的上表面设有第二垫圈,所述第二垫圈使所述喷嘴片与所述填充基片之间形成所述第二缝隙。
8.根据权利要求6或7所述的微孔金属填充结构,其特征在于:所述第一间隙和第二间隙的垂直高度均为1~20微米。
9.根据权利要求1所述的微孔金属填充方法,其特征在于:所述喷嘴孔的剖面形状为梯形、拱形、或/和双曲线形;在所述喷嘴孔的深度未达到所述喷嘴片的厚度时,所述喷嘴孔连通一个贯通孔穿透所述喷嘴片。
10.一种微孔金属填充方法,其特征在于,所述微孔金属填充方法包括:利用气压差将液态金属槽中的液态金属吸进需要进行填充的微孔中,再利用液态金属的表面张力将连着的所述微孔中的液态金属与所述液态金属槽中的液态金属切断。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造