[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201310059129.5 | 申请日: | 2013-02-26 |
公开(公告)号: | CN104009162A | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;黄辉 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域,特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年,美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度,高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。10V下亮度达到1000cd/m2,其发光效率为1.51lm/W,寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。
在传统的发光器件中,器件内部发光材料发出的光大约只有18%是可以发射到外部去的,大部分发出的光会以其他形式消耗在器件外部。研究发现,OLED光损耗大,有很大一部分原因在于空穴注入层的不完善。由于现有空穴注入层的材质通常为三氧化钼等金属氧化物,它在可见光范围内的吸光率较高,造成了光损失;另外,三氧化钼等金属氧化物与空穴传输层的有机材料性质差别较大,两者界面之间存在折射率差,容易引起全反射,导致OLED整体出光性能较低。因此非常有必要对空穴注入层的材质进行改进。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供了一种有机电致发光器件,本发明空穴注入层材质为硅氧化物与二氧化镨、三氧化二镨、氧化钐或三氧化镱形成的混合材料,空穴注入层材质中二氧化镨、三氧化二镨、氧化钐或三氧化镱的功函数都比较高(功函数为-7.2eV~-6.5eV),适合空穴的注入,由于阳极层材质采用金属材料,空穴注入层与阳极接触后,与阳极的势垒比较匹配,可使空穴更容易的从阳极注入到空穴层,硅氧化物比较稳定,掺杂在空穴注入层后可提高器件的稳定性,同时,硅氧化物可进一步提高光的散射,可降低器件的全反射效应;本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法。
第一方面,本发明提供了一种有机电致发光器件,包括依次层叠的玻璃基底、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,所述空穴注入层材质为硅氧化物与二氧化镨(PrO2)、三氧化二镨(Pr2O3)、氧化钐(Sm2O3)或三氧化镱(Yb2O3)按质量比为0.1~0.5:1的比例形成的混合材料,所述硅氧化物为一氧化硅(SiO)或二氧化硅(SiO2)。
优选地,所述空穴注入层厚度为5~50nm。
优选地,所述阳极层材质为银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)或金(Au)。
优选地,所述阳极层厚度为5~30nm。
更优选地,所述阳极为Ag,厚度为10nm。
本发明空穴注入层材质为硅氧化物与二氧化镨、三氧化二镨、氧化钐或三氧化镱形成的混合材料,空穴注入层材质中二氧化镨、三氧化二镨、氧化钐或三氧化镱的功函数都比较高(功函数为-7.2eV~-6.5eV),比一般的金属氧化物(如三氧化钼)都要高,比较适合空穴的注入,本发明阳极采用金属材料,与空穴注入层的势垒比较匹配,空穴注入层与阳极接触后,可使空穴更容易的从阳极注入到空穴注入层,然后再传输到发光层进行复合,而同时,空穴注入层中掺杂了一定量的硅氧化物,硅氧化物比较稳定,掺杂后可提高器件的稳定性,同时,硅氧化物的晶体结构比二氧化镨、三氧化二镨、氧化钐和三氧化镱的要规整,可进一步提高光的散射,硅氧化物折射率一般为1.6,与一般的玻璃的折射率以及成分都比较接近,可降低器件的全反射效应,使光从发光层到达空穴注入层-玻璃的全反射几率降低(阳极采用的是金属材料,其折射率可忽略不计),这种空穴注入层可有效提高器件的发光效率。
优选地,所述空穴传输层材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(NPB),所述空穴传输层材质厚度为20~60nm,更优选地,所述空穴传输层材质为TCTA,厚度为30nm。
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