[发明专利]利用光谱调控水稻秧苗生长的方法及育秧光谱调节装置和设备有效
申请号: | 201310058234.7 | 申请日: | 2013-02-25 |
公开(公告)号: | CN103109702A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 朱德峰;向镜;陈惠哲;徐一成;李许可;周泓 | 申请(专利权)人: | 中国水稻研究所 |
主分类号: | A01G9/20 | 分类号: | A01G9/20 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 刘晓春 |
地址: | 310006 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 光谱 调控 水稻 秧苗 生长 方法 育秧 调节 装置 设备 | ||
1.利用光谱调控水稻秧苗生长的方法,其特征在于:它在秧田的两侧和/或上方布置发光二极管,使秧苗的侧面和顶部均能被发光二极管所照射;
发光二极管中具有红色发光二极管和蓝色发光二极管,均在秧田的侧面和/或上方有布置,
在水稻育秧阶段,控制红色发光二极管和蓝色发光二极管的照明,调节秧苗生长,使秧苗生长健壮,培育壮秧。
2.如权利要求1所述的利用光谱调控水稻秧苗生长的方法,其特征在于:水稻种子出苗后,定时开启发光二极管照明,至秧苗主茎叶片达3-4叶,利用红色发光二极管和蓝色发光二极管的波长不同对秧苗生长进行调节。
3.如权利要求1所述的利用光谱调控水稻秧苗生长的方法,其特征在于:发光二极管的照射光强在100-500μmol/m2·s。
4.如权利要求1所述的利用光谱调控水稻秧苗生长的方法,其特征在于:发光二极管距秧苗的距离为20-50cm。
5.实现权利要求1所述方法的育秧光谱调控装置,其特征在于它包括安装架,安装架具有对应秧田上方的部分和/或对应秧田两侧的部分,所述安装架上设置有发光二极管,发光二极管中具有红色发光二极管和蓝色发光二极管,在对应秧田上方的安装架部分和/或对应秧田两侧的安装架部分上均设有红色发光二极管和蓝色发光二极管,所述发光二极管由控制装置控制,以控制发光二极管中红色发光二极管和蓝色发光二极管的发光数量和发光时间。
6.如权利要求5所述的育秧光谱调节装置,其特征在于发光二极管距秧苗的距离为20-50cm。
7.如权利要求6所述的育秧光谱调节装置,其特征在于灯组板单元的光强在100-500μmol/m2·s。
8.实现权利要求1所述方法的育秧光谱调节设备,其特征在于它包括多个权利要求5、6或7所述的育秧光谱调节装置,各育秧光谱调节装置沿秧田的长度方向排列设置,相邻育秧光谱调节装置之间存在供阳光透进的间隔;育秧光谱调节装置由各自的控制器控制其发光二极管中红色发光二极管和蓝色发光二极管的发光数量和发光时间;或者,所有的育秧光谱调节装置由统一的控制器控制发光二极管中红色发光二极管和蓝色发光二极管的发光数量和发光时间;或者,所有的育秧光谱调节装置被分成若干组,各组的育秧光谱调节装置由统一的控制器控制组内的发光二极管中红色发光二极管和蓝色发光二极管的发光数量和发光时间。
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