[发明专利]发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光装置，尤其是涉及一种由中间层连接多个发光半导体叠层的发光装置。

背景技术

用于固态照明装置的发光二极管(light-emitting diode；LED)具有耗能低、低发热、操作寿命长、防震、体积小、反应速度快以及输出的光波长稳定等良好光电特性，因此发光二极管被广泛地应用于各种照明用途上。

虽然发光二极管有上述的优点，但是受限于亮度相较传统白炽灯具为低的缺点，在需要足够亮度的照明时往往需要提供较大的电流或者选用较多的发光二极管来满足需要的发光亮度。若使用较大的电流无法发挥发光二极管低耗能的优点，而增加数量弥补亮度不足的方式不仅占据过多面积，也消耗更多的能量。在此情况下，若要使发光二极管于日常生活的使用上更为普及，需要许多提升发光二极管亮度的研究，改变材料或者是发光二极管内的外延结构等方式。

前述的发光二极管可以与其他元件组合连接以形成一发光装置，在发光装置内的元件包含了具有电路的次载体、结合发光二极管于次载体上并使发光二极管的基板与次载体上的电路电连接的焊料，以及电连接发光二极管的电极与次载体电路的电连接结构。其中，上述的次载体可以是导线架或大尺寸镶嵌基底，以方便发光装置的电路规划并提高其发光二极管的散热效果。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种发光装置，其包含一第一发光半导体叠层、一第一中间层位于第一发光半导体叠层之上，以及一第二发光半导体叠层位于第一中间层之上。第一中间层包含第一导电性半导体层与第二导电性半导体层以及第一中间区，其中第一中间区包含有不连续结构位于第一导电性半导体层与第二导电性半导体层之间。

附图说明

图1揭示本发明的发光二极管叠层的第一实施例；

图2揭示本发明中中间区的示意图；

图3揭示本发明中中间层对发光装置的操作电压与操作电流的影响示意图；

图4揭示本发明所的发光二极管叠层的第二实施例；

图5揭示本发明所的发光二极管叠层的第一实施例中发光半导体叠层的示意图；

图6A～图6D揭示本发明所的发光二极管叠层的第三实施例的制作流程示意图。

主要元件符号说明

100、200、300、400:发光装置

2:第一发光半导体叠层

4:第二发光半导体叠层

6:第三发光半导体叠层

8:基板

12:中间层

14:第一导电性半导体层

16:中间区

18:第二导电性半导体层

22:第一中间层

24:第一导电性半导体层

26:第一中间区

28:第二导电性半导体层

32:第二中间层

34:第三导电性半导体层

36:第二中间区

38:第四导电性半导体层

202:第五导电性半导体层

204:发光层

206:第六导电性半导体层

402:第七导电性半导体层

404:发光层

406:第八导电性半导体层

具体实施方式

图1是根据本发明第一实施例的发光装置100的剖视图，发光装置100包含有第一发光半导体叠层2、中间层12与第二发光半导体叠层4，其中第一发光半导体叠层2与第二发光半导体叠层4所发出的波长彼此可大致相同或彼此相异。中间层12还包含有第一导电性半导体层14、中间区16与第二导电性半导体层18，中间区16位于第一导电性半导体层14与第二导电性半导体层18之间。在本实施例中，中间层12内的第一导电性半导体层14与第二导电性半导体层18其电性与材料不相同。第一导电性半导体层14与第二导电性半导体层18的组成材料包含III-V族元素，例如第一导电性半导体层14是AlGaAs，而第二导电性半导体层18则是InGaP或GaAs。