[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，包含：

第一发光半导体叠层；

第一中间层，位于该第一发光半导体叠层之上，该第一中间层包含第一导电性半导体层与第二导电性半导体层，其中该第一中间层具有第一中间区，该第一中间区包含一不连续结构，位于该第一导电性半导体层与该第二导电性半导体层之间；以及

第二发光半导体叠层，位于该第一中间层之上。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一导电性半导体层与该第二导电性半导体层的材料包含III-V族元素。

3.如权利要求2所述的发光装置，其中该第一导电性半导体层的材料包含AlGaAs，以及该第二导电性半导体层的材料包含InGaP或GaAs。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一中间区包含由硅组成的量子点层。

5.如权利要求1所述的发光装置，还包含第一电极层，电连接该第一发光半导体叠层，以及第二电极层，电连接该第二发光半导体叠层。

6.如权利要求1所述的发光装置，还包含第三发光半导体叠层，位于该第一发光半导体叠层与该第一中间层之间。

7.如权利要求6所述的发光装置，还包含第二中间层，位于该第三发光半导体叠层与该第一发光半导体叠层之间。

8.如权利要求7所述的发光装置，其中该第二中间层包含第三导电性半导体层、第四导电性半导体层与具有不连续结构的第二中间区位于该第三导电性半导体层与该第四导电性半导体层之间，其中该第三导电性半导体层与该第四导电性半导体层的材料包含III-V族元素。

9.如权利要求8所述的发光装置，其中该第三导电性半导体层的材料包含AlGaAs，以及该第四导电性半导体层的材料包含InGaP与GaAs。

10.如权利要求8所述的发光装置，其中该第二中间区包含由硅组成的量子点层。