[发明专利]控制电路及方法、阻抗调整电路及方法、阻抗自动调整电路及方法、无线电收发电路及方法有效

专利信息
申请号: 201310048341.1 申请日: 2013-02-06
公开(公告)号: CN103248332A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 望月聪 申请(专利权)人: 横河电机株式会社
主分类号: H03H7/38 分类号: H03H7/38
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 陈源;李铭
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 控制电路 方法 阻抗 调整 电路 自动 无线电 收发
【说明书】:

相关申请的交叉引用 

本申请要求于2012年2月6日提交的日本专利申请第2012-023254号的优先权,其全部内容通过引用并入本文。 

技术领域

本发明涉及能够控制电容率和磁导率中的至少一个的控制电路和控制方法。本发明还涉及阻抗调整电路、阻抗自动调整电路、无线电收发器电路、控制方法、阻抗调整方法、阻抗自动调整方法、以及无线电收发方法。 

背景技术

电容率和磁导率对诸如流经电路的信号路径的电信号以及用于进行无线电发送或接收的无线电信号之类的信号产生预定的物理影响。例如,电容率和磁导率以改变电信号的幅度、相位、延迟等的方式影响电信号。再例如,可以通过控制电容率来控制电路的特性。在此方面,JP-A-2003-209266公开了一种通过控制电容率改变电容部件的电容的技术。 

如上所述,电容率和磁导率对电信号和无线电信号产生预定的物理影响并改变其幅度、相位、延迟等。即,如果能够以期望方式控制电容率和磁导率,则可以对诸如电信号或无线电信号的信号赋予期望的影响。 

在JP-A-2003-209266的技术中,为了以期望的方式控制介质晶体的电容率,不仅需要向介质晶体施加能量等于介质晶体的带隙能量的光,而且还需要向介质晶体施加电场。这需要复杂的构造和控制。 

发明内容

本发明的一个或多个示例性方面通过利用简单的控制来控制电容率或磁导率而对信号产生期望影响。 

根据本发明的一个或多个示例性方法,提供了一种控制电路(1),其包括:单元区域(2A),其具有布置于其中的多个单元(2),每个所述单元包括:第一导体(3),其具有至少一个电容部件(C1,C2);第二导体(4),其连接至所述第一导体并具有电感部件;以及馈线(5),其设置为与所述第一导体和所述第二导体非接触,其中每个所述单元的尺寸小于受各所述单元影响的信号的波长;以及所述控制电路还包括至少一个馈送控制器(6),其构造为通过改变向每个所述单元的馈线提供的供电量来控制所述单元区域的电容率和磁导率中的至少一个。 

根据本发明的一个或多个示例性方面,所述第二导体形成为过孔导体,其短路至针对各个所述单元的公共电位,所述馈线与所述过孔导体非接触。 

根据本发明的一个或多个示例性方面,所述第一导体形成为具有至少一个气隙的近似8字形状。 

根据本发明的一个或多个示例性方面,提供了一种阻抗调整电路(12,13,36),包括:控制电路(1);和信号线(15,16),其与所述单元区域非接触,其中所述控制电路构造为控制所述单元区域的电容率以便获得传输通过所述信号线的信号的期望特性阻抗。 

根据本发明的一个或多个示例性方面,提供了一种阻抗自动调整电路(30),包括:阻抗调整电路(36);检测器(39),其构造为针对不同的供电值来检测从所述阻抗调整电路输出的信号的电平;以及供电值设置单元(43),其构造为在所述馈送控制器(6)中设置与所述信号的期望电平对应的供电值。 

根据本发明的一个或多个示例性方面,所述阻抗自动调整电路还包括:存储单元(44),其构造为存储各供电值和由所述检测器检测到的信号的电平,使得每个所述供电值与所述信号的电平中相应的一个相关联。所述供电值设置单元(43)构造为在所述馈送控制器(6) 中设置存储在所述存储单元中的与所述信号的期望电平相对应的供电值。 

根据本发明的一个或多个示例性方面,所述阻抗自动调整电路还包括:电平控制器(40,41,42),其构造为以如下方式控制所述供电值:使得由所述检测器检测到的信号的电平与由所述供电值设置单元设置的供电值相对应的信号的电平一致。 

根据本发明的一个或多个示例性方面,提供了一种无线电收发器电路(51),包括:控制电路(1);以及天线(53),其构造为发送和接收具有某一频率的无线电信号。所述控制电路的单元区域(2A)设置在所述天线周围。所述馈送控制器(6)以如下方式控制所述单元区域的电容率:使得允许具有所述某一频率的无线电信号通过所述单元区域,而具有不同于所述某一频率的频率的无线电信号被所述单元区域反射。 

根据本发明的一个或多个示例性方面,所述控制电路(1)包括第一控制电路和第二控制电路,并且所述第一控制电路的单元区域(2A)形成在第一层上,所述第二控制电路的单元区域(2A)形成在第二层上,并且所述天线(53)形成在位于所述第一层和所述第二层之间的第三层上。 

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