[发明专利]基板处理装置和基板处理方法无效
申请号: | 201310048165.1 | 申请日: | 2013-02-06 |
公开(公告)号: | CN103247564A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 植田稔彦;古家高广 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,在载物台上载置被处理基板,对所述被处理基板实施规定的处理,该基板处理装置的特征在于:
具备:能够载置所述被处理基板的所述载物台;能够升降地设置于所述载物台的周围、在上升位置向所述载置台的上方突出支承所述被处理基板的周缘部的多个支承销;和使所述多个支承销升降移动的支承销升降机构,
在所述多个支承销的上升位置,分别设置于所述载物台的至少一对相对的边侧的所述多个支承销,沿着所述载物台的边配置为支承位置的高度凹凸不同。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于:
所述多个支承销具有高度相互不同的第一支承销和第二支承销,
所述第一支承销和所述第二支承销沿着所述载物台的边交替配置。
3.一种基板处理装置,在载物台上载置被处理基板,对所述被处理基板实施规定的处理,该基板处理装置的特征在于:
具备:能够载置所述被处理基板的所述载物台;能够升降地设置于所述载物台的周围、在上升位置向所述载置台的上方突出支承所述被处理基板的周缘部的多个支承销;和使所述多个支承销分别升降移动、在上升位置在所述多个支承销之间使支承位置的高度形成有高低差的支承销高低差形成机构,
通过所述支承销高低差形成机构在所述多个支承销之间使上升距离具有差异,分别设置于所述载物台的至少一对相对的边侧的所述多个支承销,沿着所述载物台的边支承位置的高度凹凸不同。
4.如权利要求1~3中任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
在所述支承销的上端设置有能够吸附于所述被处理基板的吸附垫。
5.如权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于:
具备与所述吸附垫连通的吸引机构。
6.如权利要求1~3中任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
所述支承销设置为能够从下方支承除了所述被处理基板的角部以外的该基板的周缘部。
7.如权利要求1~3中任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
在所述载物台的周缘部设置有在载置所述被处理基板时支承该基板的周缘部的多个固定销,
通过所述支承销升降机构使支承有所述基板的所述多个支承销下降移动,所述基板经由所述固定销被载置于所述载物台上。
8.一种基板处理方法,在载物台上载置被处理基板,对所述被处理基板实施规定的处理,该基板处理方法的特征在于,执行如下步骤:
使多个支承销以向所述载物台的上方突出的方式上升移动的步骤,其中,所述多个支承销能够升降地设置于所述载物台的周围,在所述载物台的至少一对相对的边侧沿着所述载物台的边配置为支承位置的高度凹凸不同;
利用所述多个支承销从下方支承所述被处理基板的周缘部的步骤;和
使所述多个支承销下降移动,将所述被处理基板载置于所述载物台上的步骤。
9.如权利要求8所述的基板处理方法,其特征在于:
在利用所述多个支承销从下方支承所述被处理基板的周缘部的步骤中,
利用设置于所述支承销的上端的吸附垫吸附基板面。
10.如权利要求8或9所述的基板处理方法,其特征在于:
在利用所述多个支承销从下方支承所述被处理基板的周缘部的步骤中,
利用沿所述载物台的边交替配置的、高度相互不同的所述第一支承销和所述第二支承销,从下方支承所述被处理基板的周缘部。
11.如权利要求8或9所述的基板处理方法,其特征在于:
在利用所述多个支承销从下方支承所述被处理基板的周缘部的步骤中,
从下方支承除了所述被处理基板的角部以外的该基板的周缘部。
12.如权利要求8或9所述的基板处理方法,其特征在于:
在使所述多个支承销下降移动,将所述被处理基板载置于所述载物台上的步骤中,
利用设置于所述载置台的周缘部的多个固定销支承所述被处理基板的周缘部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造