[发明专利]引线框架的环氧树脂流出防止方法及用其制造的引线框架有效
申请号: | 201310044915.8 | 申请日: | 2013-02-04 |
公开(公告)号: | CN103247539B | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 朴相烈 | 申请(专利权)人: | 海成帝爱斯株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/495 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 刘灿强,鲁恭诚 |
地址: | 韩国庆尚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引线 框架 环氧树脂 流出 防止 方法 制造 | ||
1.一种环氧树脂流出防止方法,所述环氧树脂流出防止方法包括下述步骤:
提供通过成形工艺、预镀工艺和带附着工艺制造的引线框架,其中,成形工艺通过使用导电原料形成裸片置盘和多个引线,预镀工艺是对成形的导电原料执行的预镀工艺;以及
在带附着工艺之后,执行流出防止工艺,流出防止工艺防止施加在裸片置盘上的裸片接合环氧类树脂的环氧树脂流出,
其中,执行流出防止工艺的步骤包括在干环境下仅在裸片置盘上施加流出防止剂。
2.根据权利要求1所述的环氧树脂流出防止方法,其中,预镀工艺包括应用表面粗糙度。
3.根据权利要求1所述的环氧树脂流出防止方法,其中,带附着工艺中使用的带包括固定多个引线的引线锁带或者防止模塑体溢出的背面带。
4.根据权利要求1所述的环氧树脂流出防止方法,其中,裸片接合环氧类树脂包括减小应力、弹性或粘度的组分。
5.根据权利要求1所述的环氧树脂流出防止方法,其中,所述干环境与执行带附着工艺的环境相同。
6.根据权利要求1所述的环氧树脂流出防止方法,其中,干式喷射模块喷射液态型流出防止剂。
7.根据权利要求6所述的环氧树脂流出防止方法,其中,干式喷射模块包括超声喷射模块。
8.根据权利要求1所述的环氧树脂流出防止方法,其中,液态型流出防止剂包括水或有机溶剂。
9.根据权利要求8所述的环氧树脂流出防止方法,其中,有机溶剂包括从由甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮和甲乙酮组成的组中选择的至少一种溶剂。
10.根据权利要求1所述的环氧树脂流出防止方法,其中,对裸片置盘的一个表面应用执行流出防止工艺的步骤。
11.根据权利要求1所述的环氧树脂流出防止方法,所述环氧树脂流出防止方法还包括:在带附着工艺与执行流出防止工艺的步骤之间,使用大气压等离子体放电执行表面处理工艺。
12.根据权利要求1所述的环氧树脂流出防止方法,其中,导电原料包括卷型导电原料,带附着工艺中使用的带包括连续式卷型带,所述环氧树脂流出防止方法还包括执行切断工艺,切断工艺将执行了流出防止工艺的卷型引线框架切割成引线框架条。
13.根据权利要求12所述的环氧树脂流出防止方法,其中,在干环境下执行切断工艺、带附着工艺和流出防止工艺。
14.根据权利要求1所述的环氧树脂流出防止方法,其中,导电原料是成卷的,所述环氧树脂流出防止方法还包括在成形工艺与预镀工艺之间执行将卷型的引线框架切割成引线框架条的切断工艺,
其中,以单独的条带贴附方法执行带附着工艺。
15.一种通过执行根据权利要求1所述的环氧树脂流出防止方法制造的引线框架。
16.一种用于引线框架的环氧树脂流出防止方法,所述引线框架包括裸片置盘和多个引线,所述环氧树脂流出防止方法包括下述步骤:
将带附着到引线框架;以及
在将带附着到引线框架之后,执行流出防止工艺,流出防止工艺防止施加在裸片置盘上的裸片接合环氧类树脂的环氧树脂流出,
其中,执行流出防止工艺的步骤包括在干环境下仅在裸片置盘上施加流出防止剂。
17.一种用于引线框架的环氧树脂流出防止方法,所述引线框架包括裸片置盘和多个引线,所述环氧树脂流出防止方法包括下述步骤:
提供导电原料;
使用导电原料成形出包括裸片置盘和多个引线的引线框架;
执行预镀工艺;
将带附着到引线框架上;
执行流出防止工艺;以及
将引线框架切割成条型引线框架,
其中,在相同的条件下执行将带附着到引线框架上的步骤、执行流出防止工艺的步骤以及将引线框架切割成条型引线框架的步骤。
18.根据权利要求17所述的环氧树脂流出防止方法,其中,在将带附着到引线框架上之后进行执行流出防止工艺的步骤,
其中,在干条件下执行将带附着到引线框架上的步骤、执行流出防止工艺的步骤以及将引线框架切割成条型引线框架的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造