[发明专利]一种TFT阵列基板、显示面板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及平板显示领域，尤其涉及一种TFT阵列基板，以及包含该TFT阵列基板的显示面板和显示装置。

背景技术

平板显示器是目前较为常用的显示器之一，如液晶显示面板、OLED（Organic Light Emitting Diode）显示面板、等离子显示面板、电子纸等。如图1所示，常用的显示面板大都包括相对设置的TFT阵列基板1和彩膜基板2。

TFT阵列基板1包括第一基板101；位于第一基板101内侧的多条扫描线102；与多条扫描线102绝缘交叉的多条数据线103；设置于相邻的两条扫描线和相邻的两条数据线围城的像素区域中的像素电极104；设置于扫描线102和数据线103交叉处作为像素开关的TFT 105；TFT 105的栅极与对应的扫描线102电连接，TFT 105的源极/漏极与对应的数据线103电连接，TFT 105的漏极/源极与该像素电极104电连接。

彩膜基板2包括第二基板201；位于第二基板201内侧的色阻单元202阵列，以及位于色阻单元之间的黑色矩阵203。

现有技术的显示面板中防止TFT的半导体层被光照射以及提高开口率是重要的研究课题。但由于黑色矩阵漏光等原因，无法完全杜绝光对TFT器件的影响。另外，受限于TFT阵列基板1和彩膜基板2的对准精度，为了防止漏光，黑色矩阵203必须做的足够宽，这样就降低了开口率。如图2所示，黑色矩阵203的宽度L1必须比扫描线201的宽度L2大，并且L1-L2要足够大，才能确保在TFT阵列基板1和彩膜基板2的对准精度下，黑色矩阵203能够完全遮挡扫描线201，防止漏光。而黑色矩阵203比扫描线宽的部分不能有效参与显示，降低了开口率。无论像素电极104如何做大，甚至与扫描线102交叠，但有效参与显示的面积仍然受到彩膜基板上黑色矩阵的限制，开口率难以提高。

公开号为KR100495793B1的韩国专利申请中使用黑色矩阵层作为TFT的刻蚀阻挡层，这样就能够防止从TFT顶部的光照射到TFT的半导体层。但该专利申请仅仅提供了一种防止从TFT顶部的光照射到TFT的半导体层的技术方案，并没有进一步提高开口率。

发明内容

本发明的实施例所要解决的一个技术问题是，现有技术中TFT的半导体层被光照射，器件性能受到影响；

本发明的实施例所要解决的另一个技术问题是，现有技术中开口率难以提高。

为了解决上述技术问题，本发明的实施例提供了一种TFT阵列基板，包括：第一基板；位于所述第一基板上的栅极和扫描线；位于所述栅极和扫描线上的栅极绝缘层；位于所述栅极绝缘层上、所述栅极上方的有源层；覆盖所述有源层的沟道区域的刻蚀阻挡层；所述TFT阵列基板还包括覆盖所述扫描线的遮光层；所述遮光层和所述刻蚀阻挡层位于同一层，且均采用高阻遮光材料。

优选的，所述TFT阵列基板还包括位于所述刻蚀阻挡层上并分别与所述有源层电连接的源极和漏极；与所述源极/漏极同层电连接的数据线；与所述漏极/源极电连接的像素电极。

优选的，所述刻蚀阻挡层仅仅覆盖所述有源层的沟道区域；或者所述刻蚀阻挡层覆盖整个所述有源层。

优选的，所述高阻遮光材料为有机光感高阻遮光材料。

优选的，所述栅极位于所述沟道下方，并且仅仅遮挡所述沟道；或者所述栅极位于所述沟道下方，并且遮挡整个所述有源层。

本发明的实施例还提供了一种显示面板，包括相对设置的彩膜基板和上述TFT阵列基板。

优选的，所述彩膜基板包括第二基板；位于所述第二基板朝向所述TFT阵列基板一侧的色阻单元阵列和黑色矩阵；所述扫描线对应的区域没有设置黑色矩阵。

优选的，所述彩膜基板包括第二基板；位于所述第二基板朝向所述TFT阵列基板一侧的色阻单元阵列；位于所述第二基板背向所述TFT阵列基板一侧的抗反膜。

优选的，所述彩膜基板和TFT阵列基板设置有液晶层或电子纸。

本发明的实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。

相对于现有技术而言，本发明的实施例所提供的TFT阵列基板、显示面板和显示装置具有如下优点和有益效果：

1、采用高阻遮光材料作为刻蚀阻挡层，可以防止从TFT顶部的光照射到TFT的半导体层的沟道区域；

2、采用与该刻蚀阻挡层同一层的挡光层遮盖扫描线，可以去除彩膜基板上对应扫描线的黑色矩阵，提高了开口率；

3、刻蚀阻挡层与遮光扫描线的挡光层位于同一层，材料相同，不增加新的工艺步骤，节约了成本。