[发明专利]一种防伪商标及其制造方法

说明书

技术领域

本发明属防伪商标加工制造领域，具体涉及一种防伪商标及其制造方法。

背景技术

防伪商标学名（国家标准名称）防伪标识，是能粘贴、印刷、转移在标的物表面，或标的物包装上，或标的物附属物（如商品挂牌、名片以及防伪证卡）上，具有防伪作用的标识。防伪商标的防伪特征以及识别的方法是防伪商标的灵魂。主要种类有全息防伪标识（又名激光防伪商标，或叫镭射防伪商标）、双卡防伪标识、图形输出激光防伪标识、微孔防伪标识、印刷防伪标识、隐形图文回归防伪标识、图文揭露防伪标识、磁码防伪标识、覆盖层防伪标识、标记分布特性防伪标识等。传统的防伪标识一般使用印刷设备进行生产，随着一些进口的高分辨率扫描仪越来越容易为人们所得到，用来扫描一些精细的商标，把扫描的图像进行各种特种印刷，以至出现了各种高仿假冒的商标。扰乱了正常的市场秩序，给企业商家带来了负面影响。另外，对于近年来新出现的微米级防伪标识，防伪方式比较单一，主要为视觉上的防伪特征，无法结合微观图形特性和电学特性进行深度防伪。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决上述技术问题之一或至少提供一种有用的商业选择。为此，本发明的一个目的在于提出一种加工精度高、防伪性能好的防伪商标，本发明的另一个目的在于提出一种加工精度高、适合规模化生产的防伪商标制造方法。

根据本发明实施例的防伪商标，包括：基片层，其中，所述基片层为掺杂的半导体材料；形成在所述基片层之上的背景层；形成在所述基片层之上、背景层之中的商标图形化的电性防伪层，其中，所述电性防伪层为势垒金属材料；形成在所述电性防伪层之上的图案防伪层；以及形成在所述图案防伪层之上的保护层。

可选地，所述基片层与所述电性防伪层在界面形成肖特基二极管结构。

可选地，当所述基片层为N型掺杂时，所述电性防伪层的功函数大于所述基片层的功函数；当所述基片层为P型掺杂时，所述电性防伪层的功函数小于所述基片层的功函数。

可选地，所述基片层为硅、砷化镓、氮化镓或碳化硅中的一种或多种的组合。

可选地，所述电性防伪层为金、铂、银、钛、镍、铬、铝中的一种或多种的合金。

可选地，所述背景层通过热氧化或沉积方式得到，所述背景层的厚度为0.005-10μm。

可选地，所述图案防伪层的材料为金、银、铝、铂、铜、钛或钯中的一种或多种的合金。

可选地，所述保护层的材料为聚酰亚胺、氮化硅、磷硅玻璃或二氧化硅。

根据本发明实施例的防伪商标的制造方法，包括：A.设计商标图案并准备对应的掩膜版；B.提供基片层，其中，所述基片层为掺杂的半导体材料；C.所述在所述基片层上形成背景层；D.利用所述掩膜版，光刻、腐蚀所述背景层以形成商标图形，随后通过溅射、蒸镀或电镀方式形成商标图形化的电性防伪层，其中，所述电性防伪层为势垒金属材料；E.在所述电性防伪层之上形成图案防伪层；以及F.在所述图案防伪层之上形成保护层。

可选地，所述基片层与所述电性防伪层在界面形成肖特基二极管结构。

可选地，当所述基片层为N型掺杂时，所述电性防伪层的功函数大于所述基片层的功函数；当所述基片层为P型掺杂时，所述电性防伪层的功函数小于所述基片层的功函数。

可选地，所述基片层为硅、砷化镓、氮化镓或碳化硅中的一种或多种的组合。

可选地，所述电性防伪层为金、铂、银、钛、镍、铬、铝中的一种或多种的合金。

可选地，所述背景层通过热氧化或沉积方式得到，所述背景层的厚度为0.005-10μm。

可选地，所述图案防伪层的材料为金、银、铝、铂、铜、钛或钯中的一种或多种的合金。

可选地，所述保护层的材料为聚酰亚胺、氮化硅、磷硅玻璃或二氧化硅。

本发明的防伪商标及其制造方法，优点至少体现在如下几个方面：

（1）图形防伪性能好。本发明利用了半导体工艺制造，得到的图案精细程度高，其线条或间距最小尺寸可达0.18μm，形成的商标尺寸小，厚度薄，隐蔽性强，肉眼难以识别，难以被其他竞争者仿冒。此外，通过在商标图案里面嵌套超小尺寸商标的方式实现防伪，肉眼无法识别出图案里面嵌套的超小尺寸商标，需要使用显微镜等专用工具才能发现。

（2）电学防伪性能好。本发明除常规图形防伪之外，通过设定基片掺杂浓度或者基片与金属形成具有特定电性参数的二极管方式实现防伪，该防伪方式很难被仿制，其在外观上无法发现其中的区别，而检测人员能够通过测试工具识别该商标的真伪。