[发明专利]一种防伪商标及其制造方法

权利要求书

1.一种防伪商标，其特征在于，包括：

基片层，其中，所述基片层为掺杂的半导体材料；

形成在所述基片层之上的背景层；

形成在所述基片层之上、背景层之中的商标图形化的电性防伪层，其中，所述电性防伪层为势垒金属材料；

形成在所述电性防伪层之上的图案防伪层；以及

形成在所述图案防伪层之上的保护层。

2.如权利要求1所述的防伪商标，其特征在于，所述基片层与所述电性防伪层在界面形成肖特基二极管结构。

3.如权利要求1所述的防伪商标，其特征在于，当所述基片层为N型掺杂时，所述电性防伪层的功函数大于所述基片层的功函数；当所述基片层为P型掺杂时，所述电性防伪层的功函数小于所述基片层的功函数。

4.如权利要求1所述的防伪商标，其特征在于，所述基片层为硅、砷化镓、氮化镓或碳化硅中的一种或多种的组合。

5.如权利要求1所述的防伪商标，其特征在于，所述电性防伪层为金、铂、银、钛、镍、铬、铝中的一种或多种的合金。

6.如权利要求1所述的防伪商标，其特征在于，所述背景层通过热氧化或沉积方式得到，所述背景层的厚度为0.005-10μm。

7.如权利要求1所述的防伪商标，其特征在于，所述图案防伪层的材料为金、银、铝、铂、铜、钛或钯中的一种或多种的合金。

8.如权利要求1所述的防伪商标，其特征在于，所述保护层的材料为聚酰亚胺、氮化硅、磷硅玻璃或二氧化硅。

9.一种防伪商标的制造方法，其特征在于，包括：

A.设计商标图案并准备对应的掩膜版；

B.提供基片层，其中，所述基片层为掺杂的半导体材料；

C.所述在所述基片层上形成背景层；

D.利用所述掩膜版，光刻、腐蚀所述背景层以形成商标图形，随后通过溅射、蒸镀或电镀方式形成商标图形化的电性防伪层，其中，所述电性防伪层为势垒金属材料；

E.在所述电性防伪层之上形成图案防伪层；以及

F.在所述图案防伪层之上形成保护层。

10.如权利要求9所述的防伪商标的制造方法，其特征在于，所述基片层与所述电性防伪层在界面形成肖特基二极管结构。

11.如权利要求9所述的防伪商标的制造方法，其特征在于，当所述基片层为N型掺杂时，所述电性防伪层的功函数大于所述基片层的功函数；当所述基片层为P型掺杂时，所述电性防伪层的功函数小于所述基片层的功函数。

12.如权利要求9所述的防伪商标的制造方法，其特征在于，所述基片层为硅、砷化镓、氮化镓或碳化硅中的一种或多种的组合。

13.如权利要求9所述的防伪商标的制造方法，其特征在于，所述电性防伪层为金、铂、银、钛、镍、铬、铝中的一种或多种的合金。

14.如权利要求9所述的防伪商标的制造方法，其特征在于，所述背景层通过热氧化或沉积方式得到，所述背景层的厚度为0.005-10μm。

15.如权利要求9所述的防伪商标的制造方法，其特征在于，所述图案防伪层的材料为金、银、铝、铂、铜、钛或钯中的一种或多种的合金。

16.如权利要求9所述的防伪商标的制造方法，其特征在于，所述保护层的材料为聚酰亚胺、氮化硅、磷硅玻璃或二氧化硅。