[发明专利]晶圆未断灰阶检测方法有效
申请号: | 201310037730.4 | 申请日: | 2013-01-30 |
公开(公告)号: | CN103972121B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 陈孟端 | 申请(专利权)人: | 正恩科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/78 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 余刚,李静 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆未断灰阶 检测 方法 | ||
技术领域
本发明涉及劈裂晶圆的方法,尤其是涉及检测晶圆劈裂后是否断开的方法。
背景技术
请参阅图1与图2所示,晶圆劈裂机1用于将晶圆2劈裂为一粒粒的晶粒,以进行后续的封装操作,晶圆2在进行劈裂之前,会先用激光切割出横向与纵向的预切线3,接着将晶圆2贴附一蓝膜4加以固定后,通过一固定夹具5送入一晶圆劈裂机1进行劈裂操作。
晶圆劈裂机1包含一晶圆固定座6、一悬臂杆7、一劈刀8、一图像采集元件9、一压制元件10与一照明光源11,该晶圆固定座6夹置该固定夹具5,并可作平面方向的移动与转动,该劈刀8固定于该悬臂杆7上且设于该晶圆2的上方,以进行劈裂操作,且在进行劈裂操作时,为利用该压制元件10抵压该晶圆2,以避免晶圆2翘曲,而该照明光源11则可一体连接地设置于该压制元件10上,其用于产生成像光源(图未示)照射该晶圆2,以穿透晶圆2,而该图像采集元件9则设于该晶圆2的下方,用于采集该晶圆2的图像,以得知该晶圆2的位置。
因而该晶圆2可通过该晶圆固定座6的位移与该图像采集元件9对该晶圆2的取像而进行定位,而在定位完成之后,即可通过该劈刀8的上下位移与该晶圆固定座6的定量位移,对多个预切线3连续进行劈裂,而该图像采集元件9则在连续劈裂过程中,持续监控该预切线3的定位是否偏移,以视偏移的程度补偿定位,而当横向与纵向的预切线3皆被劈裂之后即完成劈裂操作。
又当工艺偏差,导致晶圆2有未断现象时,已知需要重新定位寻找未断的位置加以手动重劈,其不但费时且对位不准时容易造成晶圆2的崩坏,造成良率的下降。因此,目前作法为在劈裂后即检知晶圆2是否断开,若未断开则加深刀位,直接重劈直至晶圆2断开为止。
而检知晶圆2于劈裂之后是否断开,已知中国台湾公告第I351069号专利,已披露一种晶圆裂片的光学检知方法,其方法为采集劈裂前后的晶圆图像,并利用电脑分析晶圆裂片前后图像中的切割道宽度尺寸差异,进而判断该晶圆冲击裂片是否正确,也即判断晶圆是否确实断开。
然而,此习用方法,要计算宽度尺寸的变化,首先要得知劈裂前后切割道宽度,但是因晶圆工艺特性不同,切割道宽度变化量不一或无变化,误判率偏高,且为了让图像判断宽度,劈刀必须维持下位以维持宽度变化量,速度较慢,因此已知的光学检查方法,不但误判率偏高,且速度慢,无法满足使用上的需求。
发明内容
因此,本发明的主要目的在于提供一种晶圆未断灰阶检测方法,其通过光学图像平均灰阶值的变化,快速判断晶圆是否断开。
经由以上可知,为达上述目的,本发明为一种晶圆未断灰阶检测方法,用于判断一晶圆进行劈裂后,该晶圆是否断开,其包含步骤S1:取得劈裂前晶圆图像;步骤S2:试劈裂取得灰阶变化临界值;步骤S3:进行自动生产并开启光源;步骤S4:劈裂晶圆;步骤S5:取得劈裂后晶圆图像与步骤S6:判断晶圆是否断开。
其中步骤S1:取得劈裂前晶圆图像,为通过一图像采集器采集该晶圆劈裂前的晶圆图像;步骤S2:试劈裂取得灰阶变化临界值,为通过手动试劈的方式,找出灰阶变化临界值;步骤S3:进行自动生产并开启光源,为开启自动化操作,并通过一光源照射该晶圆;步骤S4:劈裂晶圆,为对该晶圆进行劈裂动作;步骤S5:取得劈裂后晶圆图像,为通过该图像采集器采集该晶圆劈裂后的晶圆图像;步骤S6:判断晶圆是否断开,为通过一图像处理单元依据该晶圆劈裂前的晶圆图像与该晶圆劈裂后的晶圆图像的平均灰阶值是否变化,来判定该晶圆是否断开。
据此,本发明通过光具有快速反应的特性,通过取得该晶圆劈裂前的晶圆图像与该晶圆劈裂后的晶圆图像的平均灰阶值,观察其是否改变,而推定该晶圆是否断开,其反应快速且准确度高,对于图像处理的运算负担也不大,可以快速地做出判定结果,以满足使用上的需要。
附图说明
图1为已知晶圆的结构图。
图2为已知的晶圆劈裂机的结构图。
图3为本发明的判断方法的步骤图。
图4为本发明的晶圆未断开的图像图。
图5为本发明的晶圆断开的图像图。
图6为本发明的比对区域的选取示意图。
具体实施方式
为使所述领域的普通技术人员对本发明的特征、目的及效果有着更加深入的了解与认同,现列举优选实施例并配合图式说明如下:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于正恩科技有限公司,未经正恩科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310037730.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造