[发明专利]一种测量哈特曼波前传感器子孔径中倾斜像差的方法有效

专利信息
申请号: 201310030430.3 申请日: 2013-01-27
公开(公告)号: CN103105235A 公开(公告)日: 2013-05-15
发明(设计)人: 王帅;杨平;许冰;刘文劲;雷翔;晏虎;董理治;高源;程生毅 申请(专利权)人: 中国科学院光电技术研究所
主分类号: G01J9/00 分类号: G01J9/00
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 顾炜;贾玉忠
地址: 610209 *** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 测量 哈特曼波前 传感器 孔径 倾斜 方法
【权利要求书】:

1.一种测量哈特曼波前传感器子孔径中倾斜像差的方法,其特征在于通过以下步骤实现:

步骤1:哈特曼波前传感器子孔径中子波前由Walsh函数序列展开,展开项中第1阶Walsh函数系数和第2阶Walsh函数系数与子波前中x方向倾斜像差,即第1阶Zernike多项式系数和y方向倾斜像差,即第2阶Zernike多项式系数存在一定的比例关系k1、k2,由哈特曼波前传感器子孔径排布特征确定,即有:

aZ1=k1·aW1]]>aZ2=k2·aW2;---(1)]]>

步骤2:在哈特曼波前传感器子孔径范围内的子光波进入微透镜之前,分别对子光波进行第1、第2阶Walsh函数二元相位调制,且调制幅度为“-β”,即调制时相位调制器附加的相位信号为-β·Wi,其中i取1或2,Wi表示第i阶Walsh函数形式;

步骤3:调制后的子光波被微透镜聚焦进入之后的单模光纤进行Walsh函数二元像差选模滤波,单模光纤只让子光波波前相位展开式即Walsh函数形式展开中的基膜成分,即第0阶Walsh函数项通过;

步骤4:单敏探测器在单模光纤另一端,接收经过每次调制滤波后最终出射的光强大小,得到三种情况下的光强数据,即:无调制光强I0、第1阶Walsh函数二元相位调制I1和第2阶Walsh函数二元相位调制I2

步骤5:根据I0、I1、I2和β,由二元相位调制滤波数学模型,求解得到子孔径内子波前中第1、2阶Walsh函数系数大小为:

aWi=tan-1(Ii/I0-cosβsinβ),i=1,2;---(2);]]>

步骤6:由步骤5求得的第1、2阶Walsh函数系数结合步骤1中确定的比例系数k1、k2,即求出子孔径内子波前x、y两个方向倾斜像差系数即子波前的Zernike多项式展开式中第1、2阶Zernike多项式系数。

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