[发明专利]刮伤掩模修补装置及方法有效
申请号: | 201310030316.0 | 申请日: | 2013-01-25 |
公开(公告)号: | CN103969945B | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 李会丽;闻人青青;张俊;李志丹 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G03F7/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 刮伤掩模 修补 装置 方法 | ||
1.一种刮伤掩模修补装置,其特征在于,包括:
支架装置,安装在光刻机室内用于固定刮伤掩模;
缺陷检测装置,安装在所述支架装置上,并通过在所述支架装置上移动对所述刮伤掩模进行定位扫描及拍照;
控制模块,根据所述缺陷检测装置的检测结果选择所述刮伤掩模的修补区域及路径,并对所述修补区域的掩模缺陷尺寸进行测量;以及
修补模块,安装在所述支架装置上,包括多个不同尺寸的修补笔芯,并根据所述控制模块测量的结果选择对应尺寸的修补笔芯,并根据所述路径在所述支架装置上移动所述修补模块至所述修补区域对所述掩模缺陷进行修补;
所述支架装置包括悬吊杆、掩模支架以及二维移动导杆,所述悬吊杆设置在所述掩模支架的两侧,所述二维移动导杆与所述缺陷检测装置和修补模块相连;
所述修补模块还包括所述笔芯夹持装置和所述修补液的存储和抽取装置,其中,所述笔芯夹持装置包括卡盘和可升降杆;所述修补液的存储和抽取装置包括:抽取泵、存储瓶和存储管,所述可升降杆分别与所述二维移动导杆和卡盘接触,所述卡盘上设有与所述多个不同尺寸修补笔芯对应的卡槽,所述存储管设置在所述修补笔芯的顶部并与所述存储瓶相连,所述存储瓶与所述抽取泵相连;所述修补笔芯为采用速干墨水作为修补液的记号笔芯。
2.如权利要求1所述的刮伤掩模修补装置,其特征在于,所述悬吊杆通过一旋转杆与所述掩模支架相连。
3.如权利要求1所述的刮伤掩模修补装置,其特征在于,所述掩模支架的四周设有多个掩模吸附夹。
4.如权利要求1所述的刮伤掩模修补装置,其特征在于,所述修补笔芯为记号笔芯。
5.如权利要求1所述的刮伤掩模修补装置,其特征在于,采用速干墨水作为修补液。
6.如权利要求1所述的刮伤掩模修补装置,其特征在于,所述存储管为塑料材质。
7.如权利要求1所述的刮伤掩模修补装置,其特征在于,所述存储瓶与所述存储管之间通过导管连通。
8.如权利要求1所述的刮伤掩模修补装置,其特征在于,所述笔芯夹持装置还包括设置在所述修补笔芯上,用于控制所述修补笔芯升降的升降导杆。
9.如权利要求1所述的刮伤掩模修补装置,其特征在于,所述控制模块为用于控制所述刮伤掩模修补全过程的PC机。
10.一种刮伤掩模修补方法,其特征在于,使用如权利要求1-9所述刮伤掩模修补装置进行修补,包括:
对刮伤掩模进行清洗;
将清洗后的刮伤掩模送至支架装置;
缺陷检测装置对所述刮伤掩模进行缺陷定位扫描和拍照;
根据缺陷检测装置的检测结果选择掩模的修补区域和路径;
修补模块根据已选择的修补区域和路径对刮伤掩模进行修补;
所述修补模块根据已选择的修补区域和路径对刮伤掩模进行修补的步骤包括:
对修补区域上的缺陷进行尺寸测量,并选择对应尺寸的修补笔芯;
抽取泵提供动力将修补液供应至对应的修补笔芯处;
修补笔芯沿着已选择路径对刮伤掩模进行修补;
所述修补笔芯为采用速干墨水作为修补液的记号笔芯。
11.如权利要求10所述的修补方法,其特征在于,采用接触式修补方法对所述刮伤掩模进行修补。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海微电子装备(集团)股份有限公司,未经上海微电子装备(集团)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310030316.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备