[发明专利]一种在（111）型硅片上制作硅锥体结构的方法

权利要求书

1.一种在（111）型硅片上制作硅锥体结构的方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：

1）提供一（111）型硅片，于该硅片表面制作至少具有3个两两相邻的刻蚀窗口的掩膜图形；

2）采用ICP干法刻蚀工艺，将各该刻蚀窗口下方的硅片ICP干法刻蚀至一预设深度；

3）对各该刻蚀窗口下方的硅片进行各向异性湿法腐蚀，形成上下表面为六边形的多个腐蚀槽，且相邻的3个腐蚀槽的交界处形成由上锥部、下锥部及连接部组成的沙漏结构；

4）采用自限制氧化工艺对上述所得结构进行热氧化，使所述沙漏结构的连接部完全氧化成氧化硅，且使所述下锥部表面逐渐氧化以于所述下锥部内部形成硅锥体结构；

5）去除所述连接部的氧化硅以使所述上锥部和下锥部分离，同时去除所述下锥部表面的氧化硅，形成连接在硅片上的硅锥体结构。

2.根据权利要求1所述的在（111）型硅片上制作硅锥体结构的方法，其特征在于：

步骤3）中相邻的两个腐蚀槽之间具有与所述沙漏结构相连的薄壁结构；步骤4）在进行自限制氧化工艺时还同时将所述薄壁结构氧化成氧化硅；步骤5）中在去除氧化硅时还同时将所述薄壁结构去除。

3.根据权利要求2所述的在（111）型硅片上制作硅锥体结构的方法，其特征在于：所述薄壁结构与所述硅片上表面的夹角为69.5°~71.5°。

4.根据权利要求1所述的在（111）型硅片上制作硅锥体结构的方法，其特征在于：相邻的两个刻蚀窗口之间的最小距离为1μm~100μm。

5.根据权利要求1所述的在（111）型硅片上制作硅锥体结构的方法，其特征在于：所述预设深度为100nm~100μm。

6.根据权利要求1所述的在（111）型硅片上制作硅锥体结构的方法，其特征在于：步骤4）中，各向异性湿法腐蚀的时间为10分钟~100小时。

7.根据权利要求1所述的在（111）型硅片上制作硅锥体结构的方法，其特征在于：所述六边形的每个内角均为120°，各边均沿<110>晶向，各该腐蚀槽的侧壁均在{111}晶面族内。

8.根据权利要求1所述的在（111）型硅片上制作硅锥体结构的方法，其特征在于：所述下锥部及所述硅锥体结构均为三棱锥结构。