[发明专利]一种反熔丝型可编程式存储器

说明书

技术领域

本发明属于抗辐照加固微电子学领域，尤其涉及一种反熔丝型可编程式存储器。

背景技术

随着航天技术的飞速发展，帮助人们对外太空的探索，用于卫星、运载火箭等搭建电子控制系统的半导体器件越来越多；在外太空中，各种射线和重离子组成的宇宙射线具有极强的穿透力，一般的半导体器件难以适应这种穿透力强的工作环境；尤其是用于存储电子控制系统基本数据及指令的存储器件，存储器件中的数据一旦受辐射影响出错，将直接影响控制系统的正常工作，甚至导致整个系统的失效。

单粒子翻转是宇宙辐射环境下集成电路最常见的可靠性问题之一，一般的存储器件遇到单粒子事件容易出现读出数据翻转的可能，数据的翻转可能会导致整个系统工作异常，因此需要对存储器件进行加固，减小单粒子翻转事件对电子系统的影响；由于反熔丝存储器的存储单元具有防单粒子翻转的结构特点，存储单元在编程或者非编程状态都不会出现翻转的现象；但是，反熔丝存储器中的预充电电路、译码电路、逻辑控制电路等与存储单元连接的电路结构依然容易受到辐射干扰产生单粒子事件，影响存储器甚至是整个电子控制系统的正常工作。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种反熔丝型可编程式存储器，旨在解决现有的可编程式存储器在辐射环境容易受到单粒子翻转事件而影响电子控制系统正常工作的问题。

本发明实施例是这样实现的，一种反熔丝型可编程式存储器，包括存储单元、信号预处理电路、信号输入端以及信号输出端；所述信号预处理电路连接在所述信号输入端与所述存储单元之间，接收输入的输入信号，并将处理后的信号输出到存储单元；所述信号输出端接收所述存储单元的输出数据；在所述存储单元与所述信号输入端之间设置第一冗余结构模块和/或在所述存储单元与所述信号输出端之间设置第二冗余结构模块；所述第一冗余结构模块和/或所述第二冗余结构模块，通过算法和概率事件屏蔽冗余结构模块中产生翻转脉冲的方式纠正单粒子翻转事件。

进一步的，所述第一冗余结构模块设置在所述信号输入端和所述信号预处理电路之间，其中，所述第一冗余结构模块包括n路冗余信号输出，所述信号预处理电路包括与所述第一冗余结构模块n路冗余信号输出相对应的n个预处理子电路，所述n个预处理子模块分别对应连接所述的n路冗余信号输出；并分别连接到所述存储单元中；n为大于1的正整数（下文中出现的n同样表示为大于1的正整数）；

所述第一冗余结构模块设置在所述信号预处理电路中或者设置在所述信号预处理电路与所述存储单元之间；其中，所述信号预处理电路连接信号输入端接收输入信号；所述第一冗余结构模块包括n路冗余信号输出，所述第一冗余结构模块接收所述信号预处理电路处理信号，n路冗余信号输出分别连接到所述存储单元中。

再进一步的，所述第一冗余结构模块包括译码冗余结构子模块以及预充电冗余结构子模块；所述信号预处理电路包括译码子电路以及预充电子电路，所述译码冗余结构子模块连接所述译码子电路，接收所述译码子电路输出的译码信号，并连接到所述存储单元将所接收的译码信号冗余成多路冗余信号输出到所述存储单元中；所述预充电冗余结构子模块连接所述预充电子电路，接收所述预充电子电路输出的地址跳变信息，并连接到所述存储单元将所接收的地址跳变信息冗余成多路冗余信号输出到所述存储单元中。

在所述信号输入端和/或所述信号输出端还可以包括滤波电路模块；所述滤波电路模块接收输入的信号并滤除电路中产生的单粒子翻转脉冲信号。

在本发明实施例中，反熔丝型可编程式存储器，通过在信号输入端与存储单元之间和/或在存储单元与信号输出端之间设置冗余结构模块，利用所述冗余结构模块通过算法和概率事件等方式纠正单粒子翻转事件对存储器的影响，能够有效屏蔽掉由于单粒子事件产生电路脉冲而造成的输出数据错误，确保电子系统在宇宙辐射环境中能够正常工作。

附图说明

图1是本发明实施例一提供的反熔丝可编程式存储器结构图；

图2a是本发明实施例一提供的一种连接方式结构图；

图2b是本发明实施例一提供的另一种连接方式结构图；

图2c是本发明实施例一提供的第三种连接方式结构图；

图3是本发明实施例二提供的反熔丝可编程式存储器结构图；

图4是本发明实施例三提供的反熔丝可编程式存储器结构图；

图5是本发明实施例四中提供的第一冗余结构模块的电路结构图；

图6是本发明实施例四中提供的第二冗余结构模块的电路结构图；