[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具备：

第1导电类型的第1半导体层；

第2导电类型的第2半导体层，设置于所述第1半导体层之上；

第3半导体层，设置于所述第2半导体层之上，并且具有第1导电类型的第1半导体区域和第2导电类型的第2半导体区域沿着相对所述第1半导体层与所述第2半导体层的层叠方向垂直的第1方向交替排列的构造；

第4半导体层，设置于所述第3半导体层之上，并且具有第1导电类型的第3半导体区域和第2导电类型的第4半导体区域沿着所述第1方向交替排列的构造；

第1导电类型的第5半导体层，设置于所述第4半导体层之上；

第2导电类型的第6半导体层，设置于所述第5半导体层之上；

第1电极，隔着绝缘膜而与所述第6半导体层、所述第5半导体层以及所述第4半导体区域相接；

第2电极，与所述第6半导体层连接；以及

第3电极，与所述第1半导体层连接，

所述第1半导体区域与所述第3半导体区域连接，所述第2半导体区域与所述第4半导体区域连接，

所述第2半导体区域中包含的杂质元素的浓度高于所述第1半导体区域中包含的杂质元素的浓度，

所述第3半导体区域中包含的杂质元素的浓度高于所述第4半导体区域中包含的杂质元素的浓度，

所述第2半导体层的上端与所述第3半导体层和所述第4半导体层的界面之间的第1长度比所述界面与所述第5半导体层的下端之间的第2长度短。

2.一种半导体器件，其特征在于，具备：

第1导电类型的第1半导体层；

第2导电类型的第2半导体层，设置于所述第1半导体层之上；

第3半导体层，设置于所述第2半导体层之上，并且具有第1导电类型的第1半导体区域和第2导电类型的第2半导体区域沿着相对所述第1半导体层与所述第2半导体层的层叠方向垂直的第1方向交替排列的构造；

第4半导体层，设置于所述第3半导体层之上，并且具有第1导电类型的第3半导体区域和第2导电类型的第4半导体区域沿着所述第1方向交替排列的构造；

第1导电类型的第5半导体层，设置于所述第4半导体层之上；

第2导电类型的第6半导体层，设置于所述第5半导体层之上；

第1电极，隔着绝缘膜而与所述第6半导体层、所述第5半导体层以及所述第4半导体区域相接；

第2电极，与所述第6半导体层连接；以及

第3电极，与所述第1半导体层连接，

所述第2半导体区域中包含的杂质元素的浓度高于所述第1半导体区域中包含的杂质元素的浓度，

所述第3半导体区域中包含的杂质元素的浓度高于所述第4半导体区域中包含的杂质元素的浓度，

所述第2半导体层的上端与所述第3半导体层和所述第4半导体层的界面之间的第1长度比所述界面与所述第5半导体层的下端之间的第2长度短。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1半导体区域与所述第3半导体区域连接，所述第2半导体区域与所述第4半导体区域连接。

4.根据权利要求1~3中的任意一项所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1半导体区域以及所述第2半导体区域与所述第2半导体层相接。