[发明专利]一种高可靠性P型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管无效
| 申请号： | 201310025337.3 | 申请日： | 2013-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN103117307A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 刘斯扬;张春伟;黄婷婷;黄宇;宋慧滨;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 绝缘体 横向 扩散 场效应 晶体管 | ||
1.一种高可靠性P型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管，包括：P型衬底（1），在P型衬底（1）上设有埋氧化层（2），在埋氧化层（2）上设有N-阱（3），在N-阱（3）的内部设有N阱（4）和P阱（5），在N阱（4）的内部设有N型体接触区（7）和P型源区（8），P阱（5）的内部设有P型漏区（6），在N-阱（3）、N阱（4）和P阱（5）的表面设有场氧化层（12），且场氧化层（12）的一端与P型源区（8）的一端相抵，所述场氧化层的另一端向P型漏区（6）延伸并止于P型漏区（6）的边界，在场氧化层（12）的表面设有多晶硅栅（11），在N型体接触区（7）、P型源区（8）、多晶硅栅（11）、场氧化层（12）和P型漏区（6）的表面设有钝化层（9），在N型体接触区（7）和P型源区（8）的表面连接有第一金属层（10），在多晶硅栅（11）的表面连接有第二金属层（13），在P型漏区（6）的表面连接有第三金属层（14），其特征在于，在P型漏区（6）和部分场氧化层（12）的下方设有P-阱（15），所述P-阱（15）底端穿过P阱（5）且与埋氧化层（2）相接。
2.根据权利要求1所述的一种高可靠性P型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管，其特征在于P-阱（15）与P阱（5）的交叠部分横向长度为3-5μm，交叠部分纵向深度为3-5μm。
3.根据权利要求1所述的一种高可靠性P型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管，其特征在于P-阱（15）的掺杂浓度是P阱（5）掺杂浓度的一倍到二倍，P-阱（15）的注入能量是P阱（5）的注入能量的二到三倍。
4.根据权利要求3所述的一种高可靠性P型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管，其特征在于P-阱（15）的掺杂剂量为6e12cm-2，注入能量为120Kev，P阱（5）的掺杂剂量为3e12cm-2，注入能量为40Kev。
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