[发明专利]电容式触摸屏,触控显示装置及电容式触摸屏的制造方法有效
申请号: | 201310023230.5 | 申请日: | 2013-01-22 |
公开(公告)号: | CN103105988A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 杨盛际;刘英明;任涛;丁小梁 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 李娟 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 触摸屏 显示装置 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及触摸屏领域,特别涉及一种电容式触摸屏,触控显示装置及电容式触摸屏的制造方法。
背景技术
触摸屏是现在被广泛应用的一种触摸传感输入装置。按照触摸感应原理,现有的触摸屏包括电阻式触摸屏、电容式触摸屏、表面红外触摸屏等等。其中,电阻式触摸屏因为其低成本、易实现、控制简单等优点流行多年。近来,电容式触摸屏以其透光率高、耐磨损、耐环境温度变化、耐环境湿度变化、寿命长、可实现如多点触摸的高级复杂功能而受到大众的欢迎。
利用电容变化作为传感原理由来已久。为使触摸屏有效工作,需要一个透明的电容传感阵列。当人体或者如手写笔的专用触摸装置接近电容的感应电极时,会改变传感控制电路检测到的电容值的大小,根据触摸区域内电容值变化的分布,就可以判断出人体或者专用触摸装置在触摸区域内的触摸情况。
典型的电容式触摸屏包括基板,在基板的同侧设置有一层或两层透明导电层,或者在基板的两侧分别设置有一层透明导电层,透明导电层也可以被称为透明导电胶层,其材料以一般为氧化铟锡(Indium Tin Oxide,简称为ITO)。图1为现有的在基板的同侧设置有一层透明导电层的电容式触摸屏的示意图,图2为图1所示电容式触摸屏的局部放大图,其中,如图1和图2所示,透明导电层包括多个一体的菱形感应电极100′,多个分离的菱形驱动电极200′,位于同一行的菱形驱动电极200′相互串联,菱形驱动电极200′和菱形感应电极100′之间相互绝缘。这样,在相邻的菱形驱动电极200′和菱形感应电极100′之间的沟道300′处形成耦合电容。一般情况下,手指的面积大于菱形面积。如图1所示,当手指触控电容式触摸屏的位于中心的α′区域时,手指的触控面积大于一个菱形面积;而当手指触控电容式触摸屏的位于边缘的β′区域时,由于β′区域位于电容式触摸屏的边缘,手指的触控面积只是半个菱形面积,这样使得手指在触控电容式触摸屏的β′区域时,手指产生的感触电容比手指在触控电容式触摸屏的α′区域时产生的感触电容小,容易引起触控信号失真,从而导致电容式触摸屏的边缘触控灵敏度较低。
发明内容
本发明提供了一种电容式触摸屏,触控显示装置及电容式触摸屏的制造方法,提高了电容式触摸屏和触控显示装置边缘的触控灵敏度,提供了制造电容式触摸屏的方法。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种电容式触摸屏,包括基板,所述基板上设置有:
m个列电极,每个所述列电极具有呈n行×1列分布H形空白处;
m×n个H形行电极,每个所述H形行电极嵌套在H形空白处且所述H形行电极与所述列电极之间绝缘,位于同一行的H形行电极串联连接;
其中,m和n是大于1的自然数。
优选地,位于同一行的相邻H形行电极之间搭接有金属桥,所述金属桥将位于同一行的H形行电极串联连接且金属桥和其搭盖的列电极之间绝缘。
优选地,每个所述H形行电极内具有第一过孔,所述第一过孔具有第一尖角;
所述H形行电极和与其位于同一列且相邻行的一个H形行电极之间搭接有尖端放电装置,所述尖端放电装置的一端具有第一尖端尖角;
所述尖端放电装置的第一尖端尖角和与其搭接的一个H形行电极的第一尖角角对角而置且第一尖端尖角和第一尖角之间绝缘,所述尖端放电装置的另一端和与其搭接的另一H形行电极串联;
所述尖端放电装置和其搭盖的列电极之间绝缘。
优选地,所述列电极内具有第二过孔,所述第二过孔具有第二尖角,所述尖端放电装置还具有第二尖端尖角;
所述尖端放电装置的第二尖端尖角和与其搭盖的列电极的第二尖角角对角而置。
优选地,所述尖端放电装置是局部镂空的尖端放电装置。
优选地,所述H形行电极是透明驱动电极,所述H形行电极和金属桥形成透明驱动电极线;所述列电极是透明探测电极。
本发明还提供以下技术方案:
一种触控显示装置,包括上述任一项所述的电容式触摸屏。
本发明提供以下技术方案:
一种电容式触摸屏的制造方法,包括以下步骤:
在基板上形成m个列电极,每个所述列电极具有呈n行×1列分布H形空白处;
形成嵌套在每个H形空白处的H形行电极且H形行电极和列电极之间绝缘;
将位于同一行的H形行电极串联连接;
其中,m和n是大于1的自然数。
优选地,所述将位于同一行的H形行电极串联连接包括以下步骤:
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