[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括： 

形成包含第一金属的第一层； 

形成包含第二金属的第二层，所述第二层与所述第一层相邻； 

对所述第一层和第二层的顶面进行研磨；以及 

使用清洁溶液对所述第一层和第二层进行清洁， 

其中所述清洁溶液包含对所述第一层和第二层进行腐蚀的腐蚀溶液和防止所述第二层被过度腐蚀的抑制剂。 

2.如权利要求1所述的方法，其中： 

所述腐蚀溶液包含硫酸、磷酸或过氧化氢中的至少一种，且 

所述抑制剂包含氮化合物。 

3.如权利要求2所述的方法，其中所述氮化合物包含如下物质中的至少一种：磷酸铵、硫酸铵、硝酸铵、硼酸铵、过硫酸铵、柠檬酸铵、草酸铵、甲酸铵、碳酸铵、甲基丙烯酸-2-(N,N-二乙基氨基)乙酯、丙烯酸-2-(N,N-二甲基氨基)乙酯、2-丙烯酰氧基乙基三甲基氯化铵、2-甲基丙烯酰氧基乙基三甲基氯化铵、4,4’-二氨基-3,3’-二硝基二苯基醚、4-乙烯基吡啶、甲壳质、脱乙酰壳多糖、二烯丙基二甲基氯化铵、甲基丙烯酰胆碱硫酸甲酯、N-十二烷基甲基丙烯酰胺、聚(甲基丙烯酸-2-二甲基氨基乙酯)、聚(2-甲基丙烯酰氧基乙基三甲基溴化铵)、聚(2-乙烯基-1-甲基溴化吡啶)、聚(2-乙烯基吡啶N-氧化物)、聚(2-乙烯基吡啶)、聚(3-氯-2-羟丙基-2-甲基丙烯酰氧基乙基二甲基氯化铵)、聚(4-氨基苯乙烯)、聚(4-乙烯基吡啶N-氧化物)、聚(4-乙烯基吡啶)、聚(烯丙胺)、胺封端的聚(烯丙胺盐酸盐)、聚(丁二烯/丙烯腈)、聚(二烯丙基二甲基氯化铵)、聚(乙二醇)二(2-氨基乙基)、聚(L-赖氨酸氢溴酸盐)、聚(N-甲基乙烯胺)、聚(N-乙烯基吡咯烷酮)、聚(N-乙烯基吡咯烷酮/甲基丙烯酸-2-二甲基氨基乙酯)、聚(乙烯胺)盐酸盐、聚苯胺或聚氮丙啶。 

4.如权利要求1所述的方法，还包括对具有经研磨的顶面的所述第一层和第二层进行物理清洁。 

5.如权利要求4所述的方法，其中使用喷雾法、超声法或擦洗法中的至少一种方法实施所述物理清洁，在所述方法中使用稀氢氟酸、稀氨水或去离子水中的至少一种。 

6.如权利要求1所述的方法，其中使用清洁溶液对所述第一层和第二层进行清洁包括喷洒所述清洁溶液。 

7.如权利要求1所述的方法，其中使用清洁溶液对所述第一层和第二层进行清洁还包括使用超声波对所述第一层和第二层进行物理清洁，所述超声波的使用与所述清洁溶液的使用同时进行。 

8.如权利要求1所述的方法，其中： 

所述第一层包含钛/氮化钛层， 

所述第二层包含钨层， 

所述腐蚀溶液包含硫酸和过氧化氢，以及 

所述抑制剂包含磷酸铵、硫酸铵、硝酸铵、硼酸铵、过硫酸铵、柠檬酸铵、草酸铵、甲酸铵或碳酸铵中的至少一种。 

9.如权利要求1所述的方法，其中形成所述第一层和第二层包括： 

在下部结构中形成凹部； 

以共形的方式在所述下部结构上形成所述第一层；以及 

形成所述第二层以填充利用所述第一层形成的凹部。 

10.如权利要求9所述的方法，其中所述对所述第一层和第二层的顶面进行研磨使所述下部结构的顶面露出。 

11.如权利要求9所述的方法，其中所述使用清洁溶液对所述第 一层和第二层进行清洁将在形成凹部和对所述第一层和第二层进行研磨期间产生的研磨副产物除去。 

12.如权利要求1所述的方法，其中所述清洁溶液对所述第一层的腐蚀速率等于或高于所述清洁溶液对所述第二层的腐蚀速率。 

13.如权利要求12所述的方法，其中所述清洁溶液对所述第一层的腐蚀速率相对于所述清洁溶液对第二层的腐蚀速率之比为约1～约20。