[发明专利]对硅片表面进行制绒的方法、硅片以及太阳能电池

权利要求书

1.一种对硅片表面进行制绒的方法，其特征在于，包括：

在所述硅片的上表面和下表面之一形成掩膜，以便获得具有掩膜的硅片；以及

将所述具有掩膜的硅片浸入制绒液中，保持预定的时间，

其中，

所述制绒液与硅和掩膜均可以发生反应，以便在所述硅片的上表面和下表面均形成绒面。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅片为多晶硅片。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜的厚度为20～90nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜的厚度为80nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜的折射率为1.9～2.2。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜的折射率为2.05。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜是由氮化硅和二氧化硅的至少一种形成的。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜是通过选自PECVD、LPCVD、ALD、PVD以及溶胶-凝胶法中的至少一种形成的。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述PECVD的工艺参数为：

温度350～400℃，压力60～100Pa，硅烷700～1200sccm，氨气2500～3000sccm，沉积时间20～200s。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制绒液为氢氟酸与硝酸的混合物。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述氢氟酸与硝酸的体积比为1:3～1：6。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述氢氟酸的浓度为49重量%。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述硝酸的浓度为65重量%。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述制绒液含有30～50体积份的氢氟酸、160～180体积份的硝酸，80～100体积份的水。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制绒液的温度为3～5℃。

16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定时间为70～110s。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述制绒液设置于链式制绒设备中，

其中，

所述链式制绒设备包括传送带，

所述传送带用于携带所述硅片通过所述制绒液。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述传送带的速度为0.8～1.2m/min。

19.根据权利要求1所述的方法，进一步包括对经过制绒处理的硅片依次进行水洗、碱洗、酸洗、水洗和风干处理。

20.一种硅片，其特征在于，所述硅片为通过权利要求1～19任一项所述的方法获得的。

21.根据权利要求20所述的硅片，其特征在于，所述硅片的上表面和下表面之一的反射率为至少28%，所述上表面和下表面的另一个的反射率为至多22%。

22.一种太阳能电池，包括受光面和背光面，其特征在于，所述受光面和背光面由权利要求20或21所述的硅片构成，其中，所述作为受光面的硅片表面的反射率低于所述作为背光面的硅片表面的反射率。