[发明专利]电路基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310008994.7 申请日: 2013-01-10
公开(公告)号: CN103929875B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 翁正明;郑伟鸣;黄瀚霈 申请(专利权)人: 欣兴电子股份有限公司
主分类号: H05K1/11 分类号: H05K1/11;H05K3/42
代理公司: 北京中誉威圣知识产权代理有限公司11279 代理人: 王正茂,丛芳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 路基 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电路基板,其特征在于,包括:

基板,该基板具有第一表面、相对该第一表面的第二表面以及至少一贯通孔;

第一导电层,形成于该第一表面上;

第二导电层,形成于该第二表面上;

导电件,形成于所述至少一贯通孔中,该导电件电性连接该第一导电层以及该第二导电层;

其中,所述至少一贯通孔具有第一凹部、第二凹部以及通道部,该第一凹部裸露于该第一表面,而该第二凹部裸露于该第二表面,该第一凹部与该第二凹部相互偏离,该通道部连接于该第一凹部与该第二凹部之间,且该通道部的内径小于该第一凹部于该第一表面的孔径,且该内径小于该第二凹部于该第二表面的孔径。

2.如权利要求1所述的电路基板,其特征在于,该第一凹部的侧壁与该通道部的侧壁相连接以形成第一颈部,该第一颈部位于第一参考平面上,而该第二凹部的侧壁与该通道部的侧壁相连接以形成第二颈部,该第二颈部位于第二参考平面上,其中经过该第一凹部的侧壁与该通道部的连接线形成与该第一凹部相切的第一切面,该第一切面与该第一参考平面的夹角大于45度;经过该第二凹部的侧壁与该通道部的连接线形成与该第二凹部相切的第二切面,该第二切面与该第二参考平面的夹角大于45度。

3.如权利要求1或2所述的电路基板,其特征在于,该通道部的中心轴不平行于该第一凹部的中心轴与该第二凹部的中心轴。

4.如权利要求1或2所述的电路基板,其特征在于,该第一凹部的中心轴平行于该第二凹部的中心轴,且该第一凹部的中心轴与该第二凹部的中心轴之间的距离介于5微米至40微米之间。

5.如权利要求1或2所述的电路基板,其特征在于,该第一凹部的中心轴与该第二凹部的中心轴交错而形成的夹角介于5度至70度之间。

6.如权利要求1或2所述的电路基板,其特征在于,该第一凹部的孔径自该第一表面向该第二表面的方向逐渐缩小,且该第二凹部的孔径自该第二表面向该第一表面的方向逐渐缩小。

7.如权利要求1或2所述的电路基板,其特征在于,该第一凹部自该第一表面的深度以及该第二凹部自该第二表面的深度的总合不大于该第一表面与该第二表面之间的垂直距离。

8.如权利要求1或2所述的电路基板,其特征在于,该第一凹部自该第一表面的深度以及该第二凹部自该第二表面的深度的总合大于该第一表面与该第二表面的垂直距离,且该第一凹部自该第一表面的深度不相等于该第二凹部自该第二表面的深度。

9.一种电路基板的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

形成至少一贯通孔于初始基板上,其中所述至少一贯通孔裸露于该初始基板的第一表面与该初始基板的第二表面,所述至少一贯通孔具有第一凹部、第二凹部以及通道部,该第一凹部裸露于该第一表面,而该第二凹部裸露于该第二表面,该第一凹部与该第二凹部相互偏离,该通道部连接于该第一凹部与该第二凹部之间,且该通道部的内径小于该第一凹部于该第一表面的孔径,且该内径小于该第二凹部于该第二表面的孔径;

形成第一导电层于该第一表面上;

形成第二导电层于该第二表面上;以及

形成导电件于所述至少一贯通孔中,该导电件电性连接该第一导电层以及该第二导电层。

10.如权利要求9所述的电路基板的制造方法,其特征在于,形成所述至少一贯通孔于该初始基板上的步骤包括:

形成该第一凹部于该初始基板上,该第一凹部裸露于该第一表面;

形成该第二凹部于该初始基板上,该第二凹部裸露于该第二表面;

形成该通道部于该初始基板内,而该通道部连接于该第一凹部与该第二凹部之间。

11.如权利要求10所述的电路基板的制造方法,其特征在于,形成该通道部于该初始基板内的步骤包括从该第一凹部或该第二凹部入射激光能量束,其中此激光能量束倾斜于该第一表面或该第二表面。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欣兴电子股份有限公司,未经欣兴电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310008994.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top