[发明专利]光量测定装置在审
申请号: | 201280078030.3 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN104884916A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 藤森昭一;望月学 | 申请(专利权)人: | 日本先锋公司;先锋自动化设备股份有限公司 |
主分类号: | G01J1/00 | 分类号: | G01J1/00;G01M11/00;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测定 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于半导体发光元件的光量测定装置。
背景技术
半导体发光元件的制造工艺包含多个工序,为了保证品质,在最终完成产品前的设置芯片等阶段进行发光量的测定。对于这种测定,要求不影响元件本身的特性,且要进行准确的测定。有关这种光量测定工序,作为测定半导体发光元件的光量的装置,例如,专利文献1中揭示了一种LED芯片的光学特性测定装置。
专利文献1揭示了将LED芯片通过粘结片载置到透明板上,并利用设置于透明板下方的光学检测装置来测定LED芯片的光学特性的技术。
专利文献2揭示了将从表面与背面发光的发光元件配置到透明台上,且透明台的上侧与下侧具有光检测装置的技术。
在先技术文献:
专利文献
专利文献1:日本专利公报特开2005-49131号;
专利文献2:日本专利公报特开2007-19237号。
发明内容
发明所要解决的技术问题
然而,关于专利文献1所揭示的技术,考虑到粘结片与透明板对光学特性的影响,需要将基础光照射到无LED芯片的部位,而且,需要设置检测基础光的光学特性的光学检测装置。因此,导致装置的结构变得复杂。
关于专利文献2所揭示的技术,由于是用上侧光检测装置与下侧光检测装置来检测来自发光元件的光量,因此能进行高精度的测定,但是,除了上侧光检测装置之外还需要下侧光检测装置,导致装置的结构变得复杂。
而且,在上述的现有技术中,使通过LED等发光元件的端子施加电压的探针相对于发光元件的发光面从垂直方向或者相对于端子从斜上方接触端子时,存在一些问题。
例如,使探针从垂直方向接触时,为了精确地测定发光面的发光量,需要光检测器(Photodetector)靠近发光面而测定更多的光,但是由于探针的存在,光检测器无法靠近,导致无法进行精确的测定。而且,专利文献1揭示的技术中,不管是从垂直方向还是相对于端子从斜上方,由于探针接触端子时的时机或者多个探针之间的按压力的差距,会引起发光元件的卷边、错位、崩飞、旋转等现象,使得无法有效地进行诸多作为检查对象的发光元件的发光量测定。并且,因探针对端子的接触角度以及按压力,还会出现探针的前端刺入端子,或者各个发光元件在探针动作时发生移动的问题。还有,也会出现施加电压时探针前端被熔接到端子上,或者发光元件在探针动作时分别发生移动而阻碍有效测定的问题。
这些问题尤其在以较弱的作用力固定芯片时更容易发生。但是,为了避免这种问题出现而使用粘着力强的粘结片的话,在检查后的芯片区分工序中很难将芯片从粘结片上剥离。
因此,较为理想的是,以较宽的角度测定大量的光,且背面也同时进行测定。而且,由于芯片轻而容易错位,因此,较佳的是从芯片正上方均等地施加负荷的情况下接触探针。
根据专利文献1以及专利文献2所揭示的技术,装置的结构会变得复杂,测定花费时间,成本也会变高。而且,在发光量测定中,因粘结片会引起发光量的扩散或者减衰,所以无法正确并高精度地测定元件本来的特性。因此,在接近被安装到杆(stem)或包装体(package)上的状态下,难以测定发光特性。并且,探针的配置位置、形状、动作等也会影响测定效率。对于这些问题,若采取在配置芯片时不使用粘结片并在接触探针时使芯片不发生错位的措施,测定更多的光,则能得以解决。
用于解决问题的手段
有鉴于以上问题,本发明的目的在于提供一种能以简单的结构实现有效且接近安装状态下的高精度测定的光量测定装置。
为了实现上述目的,本发明提供的光量测定装置具备测定台、探针以及光接收部,所述测定台用于承载能以放射状射出光束的半导体发光元件,所述探针接触所述半导体发光元件的端子并向其供电,使得所述半导体发光元件发光,所述光接收部接收所述半导体发光元件射出的光束并测定其光量,所述探针可以向着靠近、远离所述测定台的方向移动,当所述探针向着靠近所述测定台的方向移动时,所述探针接触所述端子,在所述光接收部中的测定,是在相对于使所述探针向着所述测定台移动的移动量,所述端子对所述探针的反作用达到一定的状态的区域内进行。
附图说明
图1是说明用本发明的一种实施方式所涉及的光量测定装置来测定半导体发光元件的发光状况的示意图。
图2是说明用本发明的一种实施方式所涉及的光量测定装置来测定半导体发光元件的配光强度的分布图。
图3是表示本发明的一种实施方式所涉及的光量测定装置的示意图。
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