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- [发明专利]电子元件移送装置及电子元件移送方法-CN201280066883.5有效
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望月学;坂田义昭;清水寿治;长谷川弘和;渡部贡司;须永诚寿郎;庄一成;小坂浩之
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日本先锋公司;先锋自动化设备股份有限公司
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2012-01-17
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2018-04-06
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H05K13/02
- 本发明提供一种可再次配置残留在拾取侧的晶片薄板上的电子元件，使其可再次使用的电子元件移送装置。本发明的电子元件移送装置(1)具备电子元件保持桌(11)，其用于保持晶片薄板(200)，该晶片薄板(200)上有呈晶圆状配置的多个不同等级的电子元件(100)；电子元件信息存储部(41)，用于存储电子元件信息，该电子元件信息由电子元件保持桌(11)中的晶片薄板(200)上的电子元件(100)的位置信息和该电子元件(100)的等级信息所组成；移载头(30)，其从晶片薄板(200)每次取出一个或多个电子元件(100)并移送至配置部(300)；排列信息存储部(42)，用于存储配置部(300)中的电子元件(100)的排列信息；再次配置部(400)，用于再次配置残留在晶片薄板(200)上的残留电子元件；以及控制部(40)，其根据电子元件信息和排列信息，控制移载头(30)，以将电子元件(100)移送至配置部(300)中的规定位置，并将残留在晶片薄板(200)上的残留电子元件移送至再次配置部(400)。
- 电子元件移送装置方法
- [发明专利]光量测定装置-CN201280078030.3在审
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藤森昭一;望月学
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日本先锋公司;先锋自动化设备股份有限公司
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2012-12-28
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2015-09-02
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G01J1/00
- 本发明提供一种光量测定装置，能以简单的结构实现有效且接近安装状态下的高精度测定。光量测定装置(1)具备测定台(10)、探针(20)以及光检测器(30)，测定台(10)用于承载以放射状射出光束的LED(101)，探针(20)接触LED(101)的端子(102)并向其供电，使得LED(101)发光，光检测器(30)接收LED(101)射出的光束并测定其光量，探针(20)可以向着靠近、远离测定台(10)的方向移动，当探针(20)向着靠近测定台(10)的方向移动时，探针(20)接触端子(102)，在光检测器(30)中的测定，是在相对于使探针(20)向着测定台(10)移动的移动量，端子(102)对探针(20)的反作用处于饱和状态的区域内进行。
- 测定装置
- [发明专利]半导体发光元件检查装置-CN201180069220.4有效
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望月学;藤森昭一;广田浩义;市川美穗
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日本先锋公司;先锋自动化设备股份有限公司
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2011-03-15
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2013-12-11
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H01L33/00
- 本发明提供一种可高速地测定半导体发光元件的发光状况，并根据其测定结果检查该半导体发光元件的半导体发光元件检查装置。半导体发光元件检查装置(3)为对从LED(101)发射的发光状况进行检查的LED(101)检查装置(3)，具有：CCD(105)，其配置于LED(101)的发光中心轴上，且与LED(101)相向配置，其接收从LED(101)发射的光，可在多个地点测定每个地点所接收的受光状况；反射部(123)，其反射从LED(101)发射的光，并将其导光至CCD(105)；存储部(161)，其存储作为比较基准的基准信息，用于与CCD(105)所得到的多个地点的受光状况相关的受光信息进行比较；以及检测器(151)，其将基准信息与受光信息进行比较检查。
- 半导体发光元件检查装置
- [发明专利]元件移送装置及方法-CN201080066125.4有效
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藤森昭一;清水寿治;青木秀宪
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日本先锋公司;先锋自动化设备股份有限公司
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2010-04-13
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2012-12-19
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H01L21/67
- 元件移送装置（1）通过吸嘴（31）取出由保持部（11、200）保持有多个的晶片状的芯片（100）。取得单元（19、40）取得保持部上的芯片的位置信息之后，在多个芯片中的第一芯片被吸附之前，再次取得该第一芯片的位置信息，从而将其更新。决定单元（40）（i）基于第一芯片的更新后的位置信息来决定用于使该第一芯片移动到拾取位置的移动量，（ii）并且基于对于在保持部上的以第一芯片为基准的规定范围内保持的第一芯片以外的芯片的位置信息进行了基于第一芯片的更新前的位置信息和更新后的位置信息的校正后的校正位置信息，决定用于使该芯片移动到拾取位置的移动量。移动单元（12、40）基于决定的移动量而使芯片向拾取位置移动。
- 元件移送装置方法
- [发明专利]激光加工装置-CN201080003896.9有效
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望月学;板持满;广田浩义
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日本先锋公司;先锋自动化设备股份有限公司
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2010-09-24
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2012-07-25
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B23K26/04
- 激光加工装置(1)具备：第一照射单元(31)，照射用于对加工对象物进行加工的第一激光(L1)；第二照射单元(21)，照射第二激光(L2)；第一聚光单元(33)，通过在加工对象物的表面(S1)或背面(S2)形成第一激光的聚光部即第一聚光部(F1)而进行加工；第二聚光单元(24)，在加工对象物的规定位置形成第二激光的聚光部即第二聚光部(F2)；受光单元(26)，接受被加工对象物反射的第二激光的反射光(L3)；聚焦伺服单元(27、24a)，基于受光单元接受的第二激光的反射光，而决定第二聚光部的位置；控制单元(33a)，控制第一聚光单元的动作，以在基于第二聚光部的位置所决定的位置上形成第一聚光部，其中，第一聚光单元的数值孔径大于第二聚光单元的数值孔径。
- 激光加工装置
- [发明专利]半导体测定装置以及方法-CN200980125417.8有效
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清水寿治;藤森昭一;青木秀宪
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日本先锋公司;先锋自动化设备股份有限公司
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2009-04-14
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2011-05-25
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G01R31/28
- 本发明用于同时测定多个电子部件的电特性。本发明的半导体测定装置(1)具备：搭载单元(100)，搭载多个电子部件(500)；第1移动单元(110)，能够使搭载单元与搭载电子部件的面平行地移动；第1探测器(200)，通过与一个电子部件接触而测定特性；第2探测器(300)，通过与其他电子部件接触而测定特性；第2移动单元(320)，能够使第2探测器与搭载电子部件的面平行地移动；第3移动单元(110)，能够使搭载单元在与搭载所述电子部件的面正交的方向上移动。第1移动单元移动搭载单元，以使一个电子部件与第1探测器相对。第2移动单元移动第2探测器，以使第2探测器与其他电子部件相对。第3移动单元移动搭载单元，以使第1和第2探测器分别与所对应的电子部件接触。
- 半导体测定装置以及方法
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