[发明专利]透明聚酰亚胺基底以及制备该基底的方法无效

专利信息
申请号: 201280075265.7 申请日: 2012-06-25
公开(公告)号: CN104540884A 公开(公告)日: 2015-04-22
发明(设计)人: 禹学龙;郑鹤基;朴相胤 申请(专利权)人: 可隆工业株式会社
主分类号: C08J7/04 分类号: C08J7/04;C08J5/18;B32B27/06;C08G73/10;G09F9/00
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 李静;黄丽娟
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 透明 聚酰亚胺 基底 以及 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种透明聚酰亚胺基底及其制备方法,所述基底可以用作柔性显示器基底。

背景技术

近来,电子设备如柔性OLED、彩色EPD、塑料LCD、TSP和OPV等,已经作为可以容易地扭曲和弯曲的下一代显示器而吸引了大量注意。为了制备这种可以容易地进行扭曲和弯曲的柔性显示器,需要新型的基底来替代传统的玻璃基底。这种新型基底必须具有足够的耐化学性、耐热性和透光性以保护显示器的部件。另外,这种新型基底必须耐用于在制备显示器过程中所进行的清洗、剥离和蚀刻等中使用的溶剂,而且需要耐高温。

多种塑料基底正在被考虑作为柔性显示器基底的备选项。在这些塑料基底中,透明聚酰亚胺膜被认为是主要的备选项。

为了改善被考虑作为柔性显示器基底的透明聚酰亚胺膜的耐溶剂性,通常,采用在透明聚酰亚胺膜上形成丙烯酸类或环氧类有机固化膜的方法。然而,这种有机固化膜的问题在于,其耐热性在超过200℃的高温或在300℃以上的高温下会发生劣化。

发明内容

技术问题

因此,本发明已完成以解决上述问题,本发明的一个目的是提供一种具有优异的耐溶剂性和高耐热性的透明聚酰亚胺基底。

本发明的另一个目的是提供一种制备具有优异的耐溶剂性和高耐热性的透明聚酰亚胺基底的方法。

技术方案

为了实现上述目的,本发明的一方面提供一种透明聚酰亚胺基底,包括:透明聚酰亚胺膜;和氧化硅层,该氧化硅层形成于所述透明聚酰亚胺膜的一面或两面上,并且该氧化硅层包含具有由下式1表示的单元结构的氧化硅:

[式1]

其中,m和n各自独立地为0至10的整数。

本发明的另一方面提供一种制备透明聚酰亚胺基底的方法,包括如下步骤:将含有聚硅氮烷的溶液涂布在透明聚酰亚胺膜的一面或两面上,然后干燥该溶液,形成聚硅氮烷层;以及使所述聚硅氮烷层固化。

有益效果

本发明提供了一种具有优异的耐溶剂性和高耐热性的透明聚酰亚胺基底。

并且,本发明提供了一种制备具有优异的耐溶剂性和高耐热性的透明聚酰亚胺基底的方法。

具体实施方式

本发明提供一种透明聚酰亚胺基底,包括:透明聚酰亚胺膜;和氧化硅层,该氧化硅层形成于所述透明聚酰亚胺膜的一面或两面上,并且该氧化硅层包含具有由下式1表示的单元结构的氧化硅:

[式1]

其中,m和n各自独立地为0至10的整数。

也就是说,在透明聚酰亚胺膜的一面或两面上形成氧化硅层,由此改善透明聚酰亚胺膜的耐溶剂性和耐热性。在式1中,当n或m为0时,氧化硅层为纯无机材料,从而使得透明聚酰亚胺膜的耐溶剂性和耐热性最大化。如有必要,为了改善透明聚酰亚胺基底的柔性,优选式1中的n或m为1以上的自然数,使得氧化硅具有合适的烷基链长度。然而,当n或m为10以上时,氧化硅具有疏水性,因而造成涂布溶液的结块。

此处,所述氧化硅层的厚度可以为0.3~2.0μm。为了赋予透明聚酰亚胺膜以合适的耐溶剂性,优选氧化硅层的厚度为0.3μm以上;而为了防止透明基底的柔性劣化,优选其厚度为2.0μm以下。

就此而言,根据本发明提供的含有氧化硅层的透明聚酰亚胺基底具有达到如下程度的优异耐溶剂性:即使在显示器的制备中,将所述基底在室温下浸渍于用于蚀刻工艺等的有机溶剂(例如TMAH(四甲基氢氧化铵)、KOH(氢氧化钾)、NMP(N-甲基吡咯烷酮)、MEK(甲基乙基酮)或MASO2(含有16.9~20.3%HCL的溶剂,由Dongwoo Finechem Co.,Ltd.生产)等)中约30分钟时,通过肉眼也不会观察到其外观的改变。

并且,本发明的透明聚酰亚胺基底在其表面上含有氧化硅层,使得其表面粗糙度(RMS)可以降低至5nm以下,从而带来了使透明聚酰亚胺基底平整的益处。由于这种益处,在形成电极或TFT的过程中,载流子可以容易地进行迁移。

另外,本发明提供一种制备透明聚酰亚胺基底的方法,包括如下步骤:将含有聚硅氮烷的溶液涂布在透明聚酰亚胺膜的一面或两面上,然后干燥该溶液,形成聚硅氮烷层;以及使所述聚硅氮烷层固化。

也就是说,根据本发明的制备透明聚酰亚胺基底的方法的特征在于,将透明聚酰亚胺膜用聚硅氮烷进行涂布然后固化,使得式2的单元结构中存在的-NH-基团被转化为式1的单元结构中存在的-O-基团,由此形成氧化硅层。

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