[发明专利]太阳电池组件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳电池组件及其制造方法。

背景技术

太阳电池组件包括：多个太阳电池；将太阳电池彼此电连接的配线件；和将它们封固的填充件。配线件能够利用粘接剂安装在太阳电池的电极上(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-205137号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

然而，在太阳电池组件中，存在因制造时或使用时的温度变化而导致上述粘接剂等发生膨胀、收缩的情况。而且，这种膨胀、收缩引起粘接界面发生剥离，导致配线件与电极的导通不良。

用于解决问题的技术方案

本发明的太阳电池组件包括：具有光电转换部和形成在光电转换部上的电极的多个太阳电池；和用粘接剂来安装在电极上，将太阳电池彼此连接的配线件，粘接剂设置成从配线件的正下方区域露出，附着在配线件的侧面上，在该正下方区域具有空隙。

发明效果

根据本发明，能够提供一种能维持配线件与电极的良好的连接性的太阳电池组件。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的一例的太阳电池组件的截面图。

图2是从受光面侧观察图1所示的太阳电池组件中应用的太阳电池的平面图。

图3是表示图2的A-A线截面的一部分的图。

图4是图2的B部放大图。

图5是表示图4的C-C线截面的一部分(受光面侧)的图。

图6是表示图4的C-C线截面的一部分(背面侧)的图。

图7是表示本发明的实施方式的一例的太阳电池组件的变形例的图。

图8是用于说明本发明的实施方式的一例的太阳电池组件的制造方法的图。

图9是用于说明本发明的实施方式的一例的太阳电池组件的制造方法的图。

图10是表示本发明的实施方式的一例的太阳电池组件中光电转换部的变形例的截面图。

图11是表示本发明的实施方式的一例的太阳电池组件中光电转换部的变形例的截面图。

具体实施方式

参照附图，下面对本发明的实施方式的一例的太阳电池组件10进行详细说明。其中，实施方式中参照的附图是示意性地记载，附图所描绘的构成源极的尺寸比率等有时与实物不同。具体的尺寸比率等应参考下面的说明来判断。

在本说明书中，“在第一目标物(例如衬底)上的全域，形成有第二目标物(例如非晶态半导体层)”这样的记载，只要没有加以特别的限定，不仅仅指第一与第二目标物直接接触地形成的情况。即，这种记载还包括在第一与第二目标物之间存在其他目标物的情况。另外，“形成在全域”包含实质上视作全域的情况(例如，第一物体上的95％被覆盖的状态)。

首先，参照图1～图3，对太阳电池组件10的结构进行说明。图1是表示太阳电池10的一部分的截面图。图2是从受光面侧观察太阳电池10中应用的太阳电池11的平面图。图3是表示图2的A-A线截面的一部分的图。

太阳电池组件10包括：多个太阳电池11；配置在太阳电池11的受光面侧的第一保护部件12；和配置在太阳电池11的背面侧的第二保护部件13。多个太阳电池11由第一保护部件12和第二保持部件13夹持，并且由填充件14封固。

太阳电池组件10还包括将太阳电池11彼此电连接的配线件15。另外，太阳电池组件10通常包括将配线件15彼此连接的搭接配线件、框架、端子箱(均未图示)等。

太阳电池11包括：通过接收太阳光来生成载流子的光电转换部20；形成在光电转换部20的受光面上的作为受光面电极的第一电极30；和形成在光电转换部20的背面上的作为背面电极的第二电极40。太阳电池11中，光电转换部20中生成的载流子由第一电极30和第二电极40收集。此处，“受光面”是指太阳光从太阳电池11的外部主要入射的面，“背面”是指与受光面相反侧的面。例如，入射到太阳电池11的太阳光中50％～100％的光从受光面侧入射。

光电转换部20具有：由晶体硅(c-Si)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等半导体材料构成的衬底21；形成在衬底21的受光面上的非晶态半导体层22；和形成在衬底21的背面上的非晶态半导体层23。作为衬底21，特别优选n型单晶硅衬底。衬底21的受光面和背面优选具有凹凸高度为1μm～15μm左右的织构结构(未图示)。