[发明专利]缺陷检测装置

说明书

相关申请的引用

本申请以2012年3月1日申请的日本专利申请第2012-045742号为基础并要求其优先权，通过引用其全部内容而结合于此。

技术领域

这里说明的实施方式涉及采用例如时域反射测定(TDR:Time Domain Reflectometry)检测缺陷的缺陷检测装置。

背景技术

在安装基板上安装电子部件的电子装置的制造工序中，在安装基板上安装电子部件时，通过焊料连接安装基板上的连接部和电子部件的连接部。对通过焊料连接的连接部，检查短路、断线等发生的有无。

半导体装置的一个形态例如是BGA型半导体装置。球网格阵列中，在封装体的底面，外部端子即焊料球网格状配设，经由焊料球与印刷基板等进行连接。印刷基板(安装基板)中，安装的焊料球的状态无法目视确认。因而，例如，进行基于边界扫描、X射线的检查。

除了边界扫描、X射线的检查，例如，还提出了采用时域反射测定(TD R；Time Domain Reflectometry)装置的焊接检查装置。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】特开2003-124851号公报

【专利文献2】特开平9-61486号公报

发明内容

提供可高精度检测被检查装置的缺陷部位的缺陷检测装置。

一个实施方式的缺陷缺陷检测装置设置有测定部、存储部、控制部及显示部。测定部测定向被检查装置发送第1信号后到接收被检查装置的缺陷部位反射的反射信号为止的第1时间。存储部具备：具有被检查装置的CAD数据的CAD数据部和存储根据CAD数据表示第1时间和第1信号的预测传导距离的关系的模型数据的模型数据部。控制部根据CAD数据计算由被检查装置选择的检查对象的范围，根据模型数据由第1时间计算预测传导距离，在检查对象的范围内，确定从测定部算起以预测传导距离离开的被检查装置的缺陷部位的位置。显示部在CAD数据显示缺陷部位的位置。

附图说明

图1是表示第1实施方式的缺陷检测装置的全体构成例。

图2是表示第1实施方式的被检查装置的截面图。

图3是表示第1实施方式的被检查装置的环氧玻璃基板的第1主面对应的CAD数据的示意图。

图4是表示图3的图像数据的放大图。

图5是表示第1实施方式的被检查装置的图像数据的示意图。

图6是表示第1实施方式的存储部存储的特性数据相关的表的示意图。

图7是表示第1实施方式的存储部存储的特性数据和模型数据的关系的表的示意图。

图8是表示第1实施方式的缺陷检测装置的检查工作的流程图。

图9是表示图8的步骤S5的详细的流程图。

图10是表示变形例1的缺陷检测装置的检查工作的流程图。

图11是表示变形例3的缺陷检测装置的存储部存储的模型数据相关的表的图。

图12是表示变形例3的缺陷检测装置的检查工作的流程图。

图13是表示第2实施方式的缺陷检测装置的存储部存储的模型数据相关的表的图。

图14是表示第2实施方式的缺陷检测装置的检查工作的流程图。

图15是表示到缺陷部位为止的距离和反射波测定时间的关系的示图。

具体实施方式

以下，参照图面说明实施方式。说明时，向全图相同的部分附上相同的参照符号。但是，应当注意图面为示意图，厚度和平面尺寸的关系、各层的厚度的比率等不同于现实。从而，具体的厚度、尺寸应当参照以下的说明判断。另外，在图面之间，当然也包括相互尺寸的关系、比率不同的部分。

第1实施方式的缺陷检测装置(fault detection apparatus)参照图1说明。图1是本实施方式的缺陷检测装置和被检查装置(test apparatus)的方框图。如图1所示，设置缺陷检测装置100和被检查装置200。这里，用BGA型半导体装置说明被检查装置200的一例，但是不限于此，只要是多个电子部件电气连接的装置，也可以是任意装置。例如，可以是设置有外部端子即球端子并层叠形成了半导体芯片并树脂密封的LGA型半导体装置、层叠形成了NAND型闪速存储器芯片的SSD卡、SD卡等。

本实施方式的缺陷检测装置说明前，参照图2说明被检查装置。图2是被检查装置的截面图。