[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201280070022.4 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN104115278A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李真宇 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池，包括：
在支撑基板上的钼层；
在所述钼层上的欧姆层；
在所述欧姆层上的光吸收层；以及
在所述光吸收层上的前电极层，
其中，所述欧姆层包括具有互不相同的晶体结构的第一欧姆层和第二欧姆层。
2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述欧姆层包括MoSe2。
3.如权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第一欧姆层包括与MoSe2晶体的c轴水平的晶体表面。
4.如权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第二欧姆层包括与MoSe2晶体的c轴垂直的晶体表面。
5.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一欧姆层与所述钼层直接接触。
6.一种太阳能电池的制造方法，该方法包括：
在支撑基板上形成钼层；
在所述钼层上形成欧姆层，所述欧姆层包括具有互不相同的晶体结构的多个层；
在所述欧姆层上形成光吸收层；以及
在所述光吸收层上形成前电极层。
7.如权利要求6所述的方法，其中，所述欧姆层包括MoSe2。
8.如权利要求7所述的方法，其中，形成所述欧姆层包括：
在所述支撑基板上形成第一欧姆层；以及
在所述第一欧姆层上形成第二欧姆层。
9.如权利要求8所述的方法，其中，所述第一欧姆层包括与MoSe2晶体的c轴水平的晶体表面，以及所述第二欧姆层包括与MoSe2晶体的c轴垂直的晶体表面。
10.如权利要求9所述的方法，其中，所述第一欧姆层通过在400℃到500℃范围内的温度下硒化所述钼层来形成，所述第二欧姆层通过在500℃到600℃范围内的温度下硒化所述钼层来形成。
11.如权利要求6所述的方法，其中，所述欧姆层的形成和所述光吸收层的形成是同时进行的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司，未经LG伊诺特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280070022.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：手机通话应答装置及其通话应答方法
- 下一篇：IGBT以及IGBT的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
