[发明专利]太阳能电池组件及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池组件，包括：

在支撑基板上的背电极层；

在所述背电极层上的光吸收层；

在所述光吸收层上的第一缓冲层；

在所述第一缓冲层上并表示为下述化学式2的第二缓冲层；以及

在所述第二缓冲层上的前电极层，

[化学式2]

Zn_1-YMg_YO(0.15≤Y≤0.25)。

2.如权利要求1所述的太阳能电池组件，其中，所述第一缓冲层表示为下述化学式1，

[化学式1]

ZnO_1-XS_X(0<X≤0.4或0.8≤X≤0.9)。

3.如权利要求1所述的太阳能电池组件，其中，所述前电极层包含BZO(ZnO：B)。

4.如权利要求1所述的太阳能电池组件，其中，所述第一缓冲层具有10nm到30nm范围内的厚度，所述第二缓冲层具有10nm到30nm范围内的厚度。

5.如权利要求1所述的太阳能电池组件，其中，当所述光吸收层具有第一能带隙，所述第一缓冲层具有第二能带隙，以及所述第二缓冲层具有第三能带隙时，所述第二能带隙高于所述第一能带隙并低于所述第三能带隙。

6.如权利要求5所述的太阳能电池组件，其中，所述第一能带隙在1.00eV到1.80eV范围内，所述第二能带隙在2.50eV到3.20eV范围内，以及所述第三能带隙在3.40eV到3.80eV范围内。

7.一种太阳能电池组件，包括：

背电极层，设置在支撑基板上并形成有用于暴露一部分所述支撑基板的第一通孔；

在所述第一通孔和所述背电极层上形成的光吸收层；

在所述光吸收层上形成并表示为下述化学式1的第一缓冲层；

第二通孔，穿过所述光吸收层和所述第一缓冲层形成以暴露一部分所述背电极层；

在所述第一缓冲层上形成并表示为下述化学式2的第二缓冲层；以及

在所述第二缓冲层上形成并填充在所述第二通孔内的前电极层，

[化学式1]

ZnO_1-XS_X(0<X≤0.4或0.8≤X≤0.9)，

[化学式2]

Zn_1-YMg_YO(0.15≤Y≤0.25)。

8.如权利要求7所述的太阳能电池组件，其中，所述前电极层包含BZO(ZnO：B)。

9.如权利要求7所述的太阳能电池组件，其中，所述第一缓冲层具有10nm到30nm范围内的厚度，所述第二缓冲层具有10nm到30nm范围内的厚度。

10.如权利要求7所述的太阳能电池组件，其中，所述光吸收层具有1.00eV到1.80eV范围内的能带隙，所述第一缓冲层具有2.50eV到3.20eV范围内的能带隙，以及所述第二缓冲层具有3.40eV到3.80eV范围内能带隙。

11.一种太阳能电池组件的制造方法，该方法包括：

在支撑基板上形成背电极层；

在所述背电极层上形成光吸收层；

在所述光吸收层上形成第一缓冲层；

在所述第一缓冲层上形成表示为下述化学式2的第二缓冲层；以及

在所述第二缓冲层上形成前电极层，

[化学式2]

Zn_1-YMg_YO(0.15≤Y≤0.25)。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述第一缓冲层表示为下述化学式1，

[化学式1]

ZnO_1-XS_X(0<X≤0.4或0.8≤X≤0.9)。

13.如权利要求11所述的方法，其中，形成所述前电极层包括：

穿过所述第二缓冲层、所述第一缓冲层以及所述光吸收层形成通孔；以及

形成所述前电极层来填充所述通孔。

14.如权利要求11所述的方法，其中，所述第二缓冲层通过溅射过程、金属有机气相沉积过程或者热沉积过程来形成。

15.如权利要求11所述的方法，其中，所述前电极层通过溅射过程来形成。