[发明专利]用于均匀传热的自适应传热方法和系统有效
申请号: | 201280066240.0 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN104040710B | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 科尔斯·格瓦达鲁;克里希纳·施里尼瓦森 | 申请(专利权)人: | 诺发系统公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/205 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 均匀 传热 自适应 方法 系统 | ||
1.一种自适应传热系统,其包括:
自适应基座,其用于在半导体处理室中接收工件,所述自适应基座包括:
第一部分,其用于接收所述工件,所述第一部分具有第一面向工件表面;以及
第二部分,所述第二部分具有第二面向工件表面,
其中所述第一部分和所述第二部分被配置成在垂直于平面的方向上能独立运动,
其中所述第一和第二部分是扇形的,并且所述第一面向工件表面和所述第二面向工件表面是扇形,其中每个扇形由两条半径和一个圆弧限定,并且
其中当所述工件被所述自适应基座接收时,所述第一部分和所述第二部分位于所述工件的一侧;以及
系统控制器,其被配置成控制所述自适应基座的所述第一和第二部分的运动。
2.根据权利要求1所述的自适应传热系统,其中,所述系统控制器被进一步配置成接收来自在所述第一面向工件表面进行测量的第一传感器的输入以及来自在所述第二面向工件表面进行测量的第二传感器的输入,所述系统控制器被配置为基于来自所述第一传感器和所述第二传感器的输入控制所述第一部分和所述第二部分的运动。
3.根据权利要求2所述的自适应传热系统,其中所述第一部分和所述第二部分的受控运动被确定用于提高在整个所述工件上的传热均匀性。
4.根据权利要求2所述的自适应传热系统,其中所述第一传感器和所述第二传感器是所述自适应基座的一部分。
5.根据权利要求2所述的自适应传热系统,其中来自所述第一传感器和所述第二传感器的输入关联于所述工件和所述第一面向工件表面以及所述第二面向工件表面之间的间隙。
6.根据权利要求2所述的自适应传热系统,其中来自所述第一传感器和所述第二传感器的输入与在所述工件的不同位置测得的温度有关。
7.根据权利要求1所述的自适应传热系统,其进一步包括从所述第一面向工件表面和所述第二面向工件表面中的至少一个延伸的成组的支架,所述成组的支架用于支撑所述工件。
8.根据权利要求1所述的自适应传热系统,其中所述工件被支撑在所述第一面向工件表面上方的预定距离处。
9.根据权利要求1所述的自适应传热系统,还包括所述自适应基座的第三部分,其中所述第三部分是环扇形的,并且相对于所述第一和第二部分是可独立运动的,其中所述第三部分是具有环扇形的第三面向工件表面。
10.根据权利要求1所述的自适应传热系统,其中所述第一部分和所述第二部分在可独立运动的圆筒体的端部。
11.根据权利要求1所述的自适应传热系统,其中所述第一部分和所述第二部分中的每一个包括至少一个支腿。
12.根据权利要求1所述的自适应传热系统,其进一步包括:所述自适应基座的第三部分,其具有第三面向工件表面,其中所述第三部分是扇形的,并且在与所述平面垂直的方向上能独立于所述第一部分和所述第二部分运动,并且其中当所述工件被所述自适应基座接收时所述第三部分位于所述工件的所述一侧。
13.一种自适应传热系统,其包括:
自适应基座,其用于在半导体处理室中接收工件,所述自适应基座包括:
用于接收所述工件的第一可枢转部分,所述第一可枢转部分具有第一面向工件表面;以及
所述自适应基座的第二可枢转部分,所述第二可枢转部分具有第二面向工件表面,
其中所述第一面向工件表面和所述第二面向工件表面中的每一个被配置成能绕着枢转点枢转,其中所述第一和第二可枢转部分是扇形的并且它们各自的第一和第二面向工件表面是扇形的,其中每个扇形由两条半径和一个圆弧限定,并且
其中当所述工件被所述自适应基座接收时所述第一面向工件表面和所述第二面向工件表面位于所述工件的一侧;以及
系统控制器,其被配置成控制所述第一可枢转部分和所述第二可枢转部分的运动。
14.根据权利要求13所述的自适应传热系统,其中所述系统控制器被配置成接收来自在所述第一面向工件表面进行测量的第一传感器的输入以及来自在所述第二面向工件表面进行测量的第二传感器的输入,所述系统控制器被配置为基于来自所述第一传感器和所述第二传感器的输入控制所述第一可枢转部分和所述第二可枢转部分的枢转。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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