[发明专利]带防污膜的基体及其制造方法无效
| 申请号： | 201280064375.3 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN104024175A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 赤尾安彦;吉田刚介 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | C03C17/30 | 分类号： | C03C17/30;C03C23/00;C23C14/12;G06F3/041 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 冯雅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防污 基体 及其 制造 方法 | ||
1.一种带防污膜的基体的制造方法，它是在透明基体上形成有含氟有机硅化合物被膜的带防污膜的基体的制造方法，其特征在于，包括：
气氛处理工序，该工序是将所述透明基体的要被形成所述含氟有机硅化合物被膜的被成膜面至少暴露在含水分的气氛中的工序；以及
成膜工序，该工序是在所述气氛处理工序后，使含有含氟水解性硅化合物的组合物附着在所述被成膜面上并使其反应，以形成所述含氟有机硅化合物被膜的工序。
2.如权利要求1所述的带防污膜的基体的制造方法，其特征在于，所述气氛的水分压超过0.002Pa。
3.如权利要求1或2所述的带防污膜的基体的制造方法，其特征在于，所述气氛的水分压在0.005Pa以上。
4.如权利要求1～3中任一项所述的带防污膜的基体的制造方法，其特征在于，所述气氛处理工序包括将所述被成膜面暴露在所述气氛中5秒以上的工序。
5.如权利要求1～4中任一项所述的带防污膜的基体的制造方法，其特征在于，所述气氛处理工序包括：在将所述被成膜面暴露在所述气氛中的同时，利用氧气等离子体且以10kJ/m2以上的能量密度对所述被成膜面进行等离子体处理的工序。
6.如权利要求1～4中任一项所述的带防污膜的基体的制造方法，其特征在于，在所述气氛处理工序后，进一步包括等离子体处理工序：利用氧气等离子体且以10kJ/m2以上的能量密度对所述被成膜面进行等离子体处理。
7.如权利要求1～4中任一项所述的带防污膜的基体的制造方法，其特征在于，在利用氧气等离子体且以10kJ/m2以上的能量密度对所述被成膜面进行等离子体处理的等离子体处理工序后，进行所述气氛处理工序。
8.如权利要求5～7中任一项所述的带防污膜的基体的制造方法，其特征在于，所述等离子体处理是由线性离子源产生的氧离子束的照射处理。
9.如权利要求5～8中任一项所述的带防污膜的基体的制造方法，其特征在于，所述等离子体处理的能量密度是10～100kJ/m2。
10.如权利要求1～9中任一项所述的带防污膜的基体的制造方法，其特征在于，所述透明基体是玻璃基板。
11.一种带防污膜的基体，其特征在于，由权利要求1～10中任一项所述的制造方法得到。
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