[发明专利]显示设备和用于制造显示设备的方法有效
申请号: | 201280064059.6 | 申请日: | 2012-12-11 |
公开(公告)号: | CN104011864B | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | 诺温·文马尔姆 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 丁永凡,张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 用于 制造 方法 | ||
技术领域
本发明提出一种显示设备以及一种用于制造显示设备的方法。
背景技术
具有少量像素的LED显示设备能够通过以复合方法进行操控来实现,其中对于每个像素将接触部成行地和将接触部成列地向外引导并且引向控制装置。在所述方法中仅能够在时间上依次操控像素,这在像素的数量增多的情况下对于显示设备的无闪烁的总亮度而言总是需要流过像素的更高的电流。
发明内容
待实现的目的是,提出一种显示设备,所述显示设备能够实现具有高的分辨率和高的重复频率的图像生成。此外,应提出一种方法,借助所述方法有效并且简单地制造显示设备。
所述目的通过本发明的实施例的主题来实现。设计方案和适当方案是本发明的实施例的主题。
根据一个实施方式,显示设备具有半导体层序列,所述半导体层序列具有设为用于产生辐射的有源区域并且形成多个像素。显示设备此外具有载体。有源区域设置在第一半导体层和第二半导体层之间,其中第一半导体层和第二半导体层适当地具有彼此不同的传导类型。半导体层序列具有至少一个凹部,所述凹部从半导体层序列的朝向载体的主面穿过有源区域延伸进入到第一半导体层中并且设为用于电接触第一半导体层。载体具有多个开关,所述开关分别设为用于控制至少一个像素。
优选每个像素关联有恰好一个开关。在显示设备运行时,每个像素能够借助于相关联的开关来操控。因此,在运行时能够同时操控多个像素,尤其能够同时操控所有的像素。
在制造显示设备时,像素优选从共同的半导体层序列中得出。这表示,各个像素的半导体层、特别是有源区域关于其材料组成和其层厚度除了制造相关的波动之外是相同的,所述波动沿横向方向在半导体晶片范围出现。
在一个优选的设计方案中,将用于半导体层序列的生长衬底完全地或至少局部地移除或者完全地或至少局部地打薄。载体能够机械地稳固半导体层序列,以至于对此不再需要生长衬底。优选地,显示设备完全不具有生长衬底。因此,在显示设备的运行中在相邻的像素之间的光学串扰的危险能够降低。然而,与此不同地,仅将生长衬底打薄成预设的剩余厚度也是足够的。
在一个优选的设计方案中,显示设备具有第一连接层,所述第一连接层在至少一个凹部中与第一半导体层导电地连接。第一连接层能够设置在半导体层序列和载体之间。借助于第一连接层,能够从半导体层序列的朝向载体的一侧电接触第一半导体层。此外优选地,在载体和半导体层序列之间设置有第二连接层,所述第二连接层局部地与第二半导体层导电地连接。优选地,第二连接层的至少一个导电连接的区域横向地完全包围至少一个凹部。第一连接层和/或第二连接层或者至少一个子层优选构成为对于在有源区域中在运行中待产生的辐射是反射性的。对于在有源区域中产生的辐射,优选地,反射率为至少50%,尤其优选为至少70%。
在显示设备的俯视图中,第一连接层和第二连接层能够重叠。此外,第二连接层能够局部地设置在半导体层序列和第一连接层之间。替选地,第一连接层和第二连接层能够不重叠地设置。第一连接层和/或第二连接层此外能够单层地或者多层地构成。特别地,在一个多层的设计方案中,第一连接层和/或第二连接层能够包含TCO材料(Transparent Conductive Oxide,透明导电氧化物)。
连接层中的一个能够对于像素形成共同的电接触部。第一连接层例如能够为第一半导体层形成共同的电接触部,并且像素的第二半导体层能够借助于第二连接层分别与开关中的一个导电地连接或者反之。借助用于多个像素、特别是用于所有的像素的共同的电接触部,能够减少像素整体上所需要的接触的数量。
在一个设计方案变型形式中,有源区域连续地延伸经过多个像素、特别是所有的像素。也就是说,有源区域连贯地构成并且仅通过至少一个凹部中断。因此,能够放弃用于隔断各个像素的有源区域的附加的制造步骤。
在一个替选的设计方案变型形式中,有源区域划分为多个区段,这些区段分别形成像素。
相邻的像素之间的划分例如能够分别借助于沟槽来形成,所述沟槽至少隔断有源区域。特别地,沟槽能够隔断整个半导体层序列。
替选地,沟槽也能够仅在第一半导体层中构成。也就是说,沟槽没有隔断有源区域。借助于这种沟槽,能够改进像素之间的光学分隔,而不会隔断有源区域。
在制造时,区段从共同的半导体层序列中得出。这些区段的半导体层序列的组成和层厚度因此除了在外延沉积时的生产引起的波动之外是相同的。
借助于划分成区段,能够简化地实现相邻的像素之间的载流子注入的分离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的