[发明专利]用于处理晶片状物品的表面的装置

说明书

技术领域

本发明总体上涉及一种用于处理诸如半导体晶片之类的晶片状物品的表面的装置，其中可以从封闭的处理室中回收一种或多种处理流体。

背景技术

半导体晶片经受各种表面处理工艺，例如蚀刻、清洗、抛光和材料的沉积。为了适应这样的工艺，如例如在美国专利No.4,903,717和No.5,513,668中所述，可以通过与可旋转载体相关联的卡盘相对于一个或更多个处理流体喷嘴支撑单个晶片。

替代地，如例如在国际公开No.WO2007/101764和美国专利No.6,485,531中所述，适于支撑晶片的环转子形式的卡盘可以位于封闭的处理室内，并在没有物理接触的情况下通过主动磁轴承驱动。由于离心力的作用从旋转晶片的边缘被向外驱动的处理流体被输送到用于处理的共漏极。

适于在没有物理接触的情况下通过磁轴承驱动的传统的旋转卡盘暴露晶片的两侧于处理室的环境中，本发明人已经发现这会产生各种缺陷。

发明内容

本发明在一个方面涉及用于处理晶片状物品的装置，其包括处理室和位于该处理室中的旋转卡盘。旋转卡盘适于在没有物理接触的情况下通过磁轴承驱动。旋转卡盘包括一系列抓销，这些抓销适于将晶片状物品保持在悬垂于旋转卡盘下方的位置。该旋转卡盘还包括与旋转卡盘一起旋转的板。当该旋转卡盘在使用中时，该板位于由晶片状物品占据的区域的上方，并且在该旋转卡盘的使用过程中该板保护处理室的上表面不受由晶片状物品甩掉的液体的影响。

在根据本发明的装置的优选的实施方式中，所述板被定位成平行于将在旋转卡盘的使用过程中呈现晶片状物品的主表面的平面，从而以限定所述板和所述平面之间的预定宽度的间隙。

在根据本发明的装置的优选的实施方式中，所述预定宽度是从约0.1至5mm，并且优选地为从约0.5至2mm。

在根据本发明的装置的优选的实施方式中，所述板被定位平行于所述处理室的上覆盖，从而以限定所述板和所述盖之间的预定宽度的间隙。

在根据本发明的装置的优选的实施方式中，所述预定宽度是从约0.1至10mm，优选地从约0.5至5mm，并且更优选地从约1至3mm。

在根据本发明的装置的优选的实施方式中，该处理室包括上覆所述板的盖以及安装于所述盖上的喷嘴组件，所述喷嘴组件具有穿过所述盖和所述板的中央区域的排出端，从而在所述装置的使用过程中可以经由所述喷嘴组件供应处理流体到晶片状物品的面向上的表面。

在根据本发明的装置的优选的实施方式中，该装置还包括位于所述处理室的外侧并上覆所述板的至少一个红外(IR)灯。

在根据本发明的装置的优选的实施方式中，所述至少一个IR灯被定位成与所述处理室的盖相邻，并且其中所述盖与所述板的至少一部分是由对通过所述至少一个IR灯发射的IR辐射透明的材料形成。

在根据本发明的装置的优选的实施方式中，该处理室包括设置在所述处理室内的内盖，该内盖在第一位置与第二位置之间是可移动的，其中在所述第一位置处所述旋转卡盘与所述封闭的处理室的外壁连通，在所述第二位置处所述内盖邻近旋转卡盘靠着所述封闭的处理室的内表面密封以限定气密的内处理室。

在根据本发明的装置的优选的实施方式中，其中当位于第二位置时，内盖形成所述内处理室的下部。

在根据本发明的装置的优选的实施方式中，所述磁轴承包括位于所述封闭的处理室的外侧的定子。

本发明在一个方面涉及用于处理晶片状物品的方法，其包括定位晶片状物品于处理室内的旋转卡盘上使得所述晶片状物品由旋转卡盘保持在悬垂在所述旋转卡盘下方的位置，和在所述晶片状物品的上侧与由所述旋转卡盘支持的板之间的间隙中形成液体膜，所述板上覆所述晶片状物品并且平行于所述晶片状物品延伸，从而以限定预定宽度的间隙。

在根据本发明的方法的优选的实施方式中，所述预定宽度是从约0.1至5mm，并且优选地从约0.5至2mm。

在根据本发明的方法的优选的实施方式中，所述旋转卡盘适于在没有物理接触的情况下通过磁轴承驱动。

在根据本发明的方法的优选的实施方式中，所述方法还包括使用位于所述处理室的外侧的至少一个红外(IR)灯加热所述晶片状物品，其中所述处理室和所述板上覆所述晶片状物品的部分对通过所述至少一个IR灯发射的IR辐射是透明的。

附图说明

阅读以下参照附图给出的本发明的优选的实施方式的详细描述之后，本发明的其它目的、特征和优点将变得更加显而易见，其中：