[发明专利]片式电阻器及其制造方法在审
申请号: | 201280063419.0 | 申请日: | 2012-12-18 |
公开(公告)号: | CN104025210A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 额贺荣二;玉川博词;近藤靖浩;松浦胜也 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H01C7/00 | 分类号: | H01C7/00;H01C13/02;H01C17/06;H01C17/242 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 齐秀凤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电阻器 及其 制造 方法 | ||
1.一种片式电阻器,其特征在于包括:
基板,具有元件形成面、与所述元件形成面相反侧的背面、以及将所述元件形成面和所述背面之间进行连接的侧面;
电阻,形成在所述元件形成面上;
外部连接电极,与所述电阻电连接,配置在所述元件形成面上;以及
树脂膜,以露出所述外部连接电极的状态覆盖所述元件形成面,
所述基板的所述背面和侧面交叉的交叉部呈圆形。
2.根据权利要求1所述的片式电阻器,其特征在于:
所述基板具有相互交叉的多个所述侧面,所述多个侧面交叉的交叉部呈圆形。
3.根据权利要求2所述的片式电阻器,其特征在于:
所述圆形的曲率半径在20μm以下。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的片式电阻器,其特征在于:
所述基板与所述电阻之间具有绝缘层。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的片式电阻器,其特征在于:
所述电阻包括形成在所述元件形成面上的薄膜电阻体,
所述片式电阻器还包括与所述薄膜电阻体连接并且形成在所述元件形成面上的布线膜,
所述树脂膜覆盖所述薄膜电阻体和所述布线膜。
6.根据权利要求5所述的片式电阻器,其特征在于:
所述电阻由具有相同电阻值的多个薄膜电阻体形成,
在指定的微调对象区域中,能够改变所述多个薄膜电阻体的连接状态。
7.根据权利要求5或6所述的片式电阻器,其特征在于还包括:
保护膜,以覆盖所述薄膜电阻体和布线膜的方式形成在所述元件形成面上,所述树脂膜形成为覆盖所述保护膜的表面。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的片式电阻器,其特征在于:
所述基板的所述元件形成面和侧面交叉的交叉部是与所述圆形不同的形状。
9.根据权利要求8所述的片式电阻器,其特征在于:
所述树脂膜覆盖所述基板的所述元件形成面和侧面交叉的交叉部。
10.根据权利要求9所述的片式电阻器,其特征在于:
所述树脂膜在所述基板的所述元件形成面和侧面交叉的交叉部处向所述基板的外侧鼓出。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的片式电阻器,其特征在于:
所述树脂膜在所述基板的侧面上设置在朝所述元件形成面侧与所述背面分离的区域中。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的片式电阻器,其特征在于:
所述树脂膜包含聚酰亚胺。
13.一种片式电阻器的制造方法,其特征在于包括:
在基板的元件形成面上,形成分别具有电阻的多个片式电阻器区域的工序;
在相邻的所述片式电阻器区域之间的边界区域中除去所述基板的材料,以形成与所述元件形成面垂直的侧面的工序;
通过在所述边界区域中截断所述基板,切下片式电阻器的工序;以及
在截断了的所述片式电阻器中,通过从与所述元件形成面相反侧的背面侧进行蚀刻,从而将所述背面和侧面交叉的交叉部整形为圆形的工序。
14.根据权利要求13所述的片式电阻器的制造方法,其特征在于:
在形成所述侧面的工序中,形成相互交叉的多个所述侧面,所述蚀刻是等向蚀刻,所述多个侧面交叉的交叉部被整形为圆形。
15.根据权利要求13或14所述的片式电阻器的制造方法,其特征在于:
所述蚀刻包括向所述片式电阻器的背面侧雾状喷出蚀刻液的工序。
16.根据权利要求13~15中任一项所述的片式电阻器的制造方法,其特征在于还包括:
形成覆盖所述元件形成面的树脂膜的工序。
17.根据权利要求16所述的片式电阻器的制造方法,其特征在于:
形成所述树脂膜的工序包括用所述树脂膜覆盖所述基板的所述元件形成面和侧面交叉的交叉部的工序。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗姆股份有限公司,未经罗姆股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280063419.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。