[发明专利]用于制造太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种用于制造太阳能电池的方法，所述方法包括下列步骤：

在纹理化装置中将半导体基板的表面纹理化，以在所述纹理化装置中蚀刻所述半导体基板的所述表面，且从而在所述基板的所述表面上形成粗糙结构；

在所述半导体基板的所述表面上形成临时层，以使所述临时层围绕第一副产物层，所述第一副产物层在纹理化步骤期间形成在所述半导体基板的所述表面上的预设区域中；和

在掺杂装置中以掺杂剂掺杂所述半导体基板的所述表面，以形成第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层设置在所述第一半导体层上且具有与所述第一半导体层不同的极性，且

其中所述第一副产物层和所述临时层被同时去除。

2.根据权利要求1所述的方法，其中通过干蚀刻进行所述纹理化步骤。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在完成所述纹理化步骤之后，在所述纹理化装置中连续执行形成所述临时层的步骤。

4.根据权利要求3所述的方法，其中形成所述临时层的步骤包括下列步骤：

在所述纹理化步骤之后将所述半导体基板载入所述纹理化装置；

将氮(N)基气体、氢(H)基气体、氧(O)基气体、氟(F)基气体和上述气体的混合物中至少一种注入所述纹理化装置；

施加等离子体至所述纹理化装置；和

将所述纹理化装置的内部温度调整到预设的第一温度。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述预设的第一温度为100℃或更低。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在附属装置中执行形成所述临时层的步骤，所述附属装置提供在所述纹理化装置与所述掺杂装置之间。

7.根据权利要求6所述的方法，其中形成所述临时层包括下列步骤：

将所述半导体基板载入所述附属装置；

将氮(N)基气体、氢(H)基气体、氧(O)基气体、氟(F)基气体和上述气体的混合物中的至少一种注入所述附属装置；

施加等离子体至所述附属装置；和

将所述附属装置的内部温度调整到预设的第一温度。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述预设的第一温度为100℃或更低。

9.根据权利要求1所述的方法，其中同时去除所述第一副产物层和所述临时层包括下列步骤：

将所述半导体基板载入所述掺杂装置；

将所述掺杂装置的内部温度提升至比掺杂温度低的预设的第二温度；和

蒸发所述第一副产物层和所述临时层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中在蒸发所述第一副产物层和所述临时层的步骤之后执行掺杂步骤，且然后排出在所述掺杂装置中留下的气体。

11.根据权利要求1所述的方法，其中同时去除所述第一副产物层和所述临时层包括下列步骤：

将所述半导体基板载入设置在所述纹理化装置与所述掺杂装置之间的高温腔室；

将所述高温腔室的内部温度提升至预设的第二温度；和

蒸发所述第一副产物层和所述临时层。

12.根据权利要求9或11所述的方法，其中所述预设的第二温度为150℃或更高。

13.一种用于制造太阳能电池的方法，所述方法包括下列步骤：

在纹理化装置中将半导体基板的表面纹理化，以蚀刻所述半导体基板的所述表面，且从而在所述基板的所述表面上形成粗糙结构；

在掺杂装置中以掺杂剂掺杂所述半导体基板的所述表面，以形成第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层设置在所述第一半导体层上且具有与所述第一半导体层不同的极性；和

去除在掺杂步骤期间形成在所述第二半导体层上的第二副产物层，

其中临时层形成在所述半导体基板的所述表面上，以致所述临时层围绕第一副产物层，所述第一副产物层在纹理化步骤期间形成在所述半导体基板的所述表面上的预定的区域中，且所述第一副产物层和所述临时层被同时去除。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述临时层为所述第二副产物层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中进行所述掺杂步骤以使所述第二副产物层围绕所述第一副产物层和所述半导体基板的上表面。