[发明专利]等离子体处理系统中的惰性主导脉冲

权利要求书

1.一种用于处理等离子体处理系统的等离子体处理腔室中的衬底的方法，所述等离子体处理腔室具有至少一个等离子体产生源和向所述等离子体处理腔室的内部区域提供处理气体的至少气体源，所述方法包括：

用具有射频频率的射频信号来激发所述等离子体产生源；以及

使用至少第一气体脉冲频率来给所述气体源施加脉冲，使得在与所述第一气体脉冲频率关联的气体脉冲周期的第一部分期间，第一处理气体流至所述等离子体处理腔室，并且在与所述第一气体脉冲频率关联的所述气体脉冲周期的第二部分期间，第二处理气体流至所述等离子体处理腔室，相对于所述第一处理气体的反应气体比惰性气体的比率，所述第二处理气体的反应气体比惰性气体的比率较低，其中，所述第二处理气体通过从所述第一处理气体去除至少一部分反应气体流而形成。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理腔室代表电感耦合的等离子体处理腔室，所述至少一个等离子体产生源代表至少一个电感天线。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理腔室代表电容耦合的等离子体处理腔室，所述至少一个等离子体产生源代表电极。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述给所述气体源施加脉冲还包括相对于在所述气体脉冲周期的所述第二部分期间的所述惰性气体的流，使在所述气体脉冲周期的所述第二部分期间较大的所述惰性气体的流流过，以至少部分补偿通过所述去除所述至少一部分所述反应气体流导致的压力降。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述给所述气体源施加脉冲还包括相对于在所述气体脉冲周期的所述第二部分期间的惰性气体的流，使在所述气体脉冲周期的所述第二部分期间较大的所述惰性气体的流流过，以充分补偿通过所述去除所述至少一部分所述反应气体流导致的压力降。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述给所述气体源施加脉冲还包括相对于在所述气体脉冲周期的所述第二部分期间的惰性气体的流，使在所述气体脉冲周期的所述第二部分期间较大的所述惰性气体的流流过，以更加充分地补偿通过所述去除所述至少一部分所述反应气体流导致的压力降。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述给所述气体源施加脉冲还包括在与所述气体脉冲周期关联的所述气体脉冲周期的第三部分期间，使第三处理气体流至所述等离子体处理腔室，其中，所述第三处理气体具有的反应气体比惰性气体的比率不同于与所述第一处理气体关联的反应气体比惰性气体的比率，所述第三处理气体具有的所述反应气体比惰性气体的比率也不同于与所述第二处理气体关联的反应气体比惰性气体的比率。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述给所述气体源施加脉冲还包括在与所述气体脉冲周期关联的所述气体脉冲周期的第四部分期间，使第四处理气体流至所述等离子体处理腔室，其中，所述第四处理气体具有的反应气体比惰性气体的比率不同于与所述第一处理气体关联的所述反应气体比惰性气体的比率，所述第四处理气体具有的所述反应气体比惰性气体的比率也不同于与所述第二处理气体关联的所述反应气体比惰性气体的比率，所述第四处理气体具有的所述反应气体比惰性气体的比率还不同于与所述第三处理气体关联的所述反应气体比惰性气体的比率。

9.如权利要求7所述的方法，其中，所述给所述气体源施加脉冲还包含使用第二气体脉冲频率来给所述第二气体源施加脉冲，其中，在与所述第二气体脉冲频率关联的脉冲周期期间的气体脉冲不同于与所述第一气体脉冲频率关联的气体脉冲周期。

10.如权利要求1所述的方法，其中，与所述第一气体脉冲频率关联的所述气体脉冲周期在约10毫秒与约50秒之间。

11.如权利要求1所述的方法，其中，与所述第一气体脉冲频率关联的所述气体脉冲周期在约50毫秒与约10秒之间。

12.如权利要求1所述的方法，其中，与所述第一气体脉冲频率关联的所述气体脉冲周期在约500毫秒与约5秒之间。

13.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一处理气体中的惰性气体的百分比在约1.1X至约100％之间，其中，X代表所述第二处理气体中的惰性气体的百分比。

14.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一处理气体中的惰性气体的百分比在约1.5X至约100％之间，其中，X代表所述第二处理气体中的惰性气体的百分比。