[发明专利]静电夹盘有效
申请号: | 201280051925.8 | 申请日: | 2012-10-17 |
公开(公告)号: | CN103890928B | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | S·巴纳;V·托多罗;D·卢博米尔斯基 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 | ||
1.一种用于支撑与保持具有给定宽度的基板的静电夹盘,包含:
第一电极,设置在静电夹盘的介电构件内且通过中央轴线,所述中央轴线垂直于所述静电夹盘的支撑表面;
第二电极,设置在所述介电构件内并且设置成至少部分位在所述第一电极的径向上外侧处,其中所述第二电极径向向外延伸至超过所述基板的外周边的区域,所述外周边由所述基板的所述给定宽度所界定,且其中设置所述第二电极的平面与所述第一电极的平面相同或该平面与所述支撑表面的距离比所述第一电极与所述支撑表面的距离更近;
各耦接所述第一电极的RF电源与DC电源,其中所述DC电源提供夹持功率;以及
耦接所述第二电极的RF电源。
2.如权利要求1所述的静电夹盘,其特征在于,所述第一电极延伸至所述基板的边缘附近的区域。
3.如权利要求1所述的静电夹盘,其特征在于,耦接所述第二电极的所述RF电源与耦接所述第一电极的所述RF电源是相同的RF电源。
4.如权利要求3所述的静电夹盘,进一步包含可变电容器或分路,以选择性将自所述RF电源所递送的RF功率分路至所述第一电极与所述第二电极。
5.如权利要求1所述的静电夹盘,其特征在于,耦接所述第二电极的所述RF电源与耦接所述第一电极的所述RF电源是不同的RF电源。
6.如权利要求1至5的任一项所述的静电夹盘,其特征在于,所述介电构件由氧化铝(Al2O3)或氮化硅(SiN)所制造。
7.如权利要求1至5的任一项所述的静电夹盘,进一步包含:
处理套组,设置在所述静电夹盘顶上,以覆盖所述介电构件的多个部分,并且所述处理套组具有中央开口,所述中央开口对应所述支撑表面;以及
导热层,设置在所述处理套组顶上,其中所述导热层具有导热率,所述导热率实质上近似于待处理的基板的导热率。
8.如权利要求7所述的静电夹盘,其特征在于,所述处理套组由氧化硅(SiO2)所制造。
9.如权利要求7所述的静电夹盘,其特征在于,所述导热层包含碳化硅(SiC)或受掺杂的钻石。
10.如权利要求7所述的静电夹盘,其特征在于,所述第二电极延伸至所述处理套组下方的区域。
11.如权利要求1至5的任一项所述的静电夹盘,其特征在于,所述第一电极或所述第二电极的至少一个是导电筛。
12.如权利要求1至5的任一项所述的静电夹盘,进一步包含:
板,设置在所述介电构件下方,以支撑所述介电构件;以及
支撑底座,设置在所述板下方,以支撑所述板,所述底座具有导管,所述导管设置在所述底座内,以将来自所述RF电源和所述DC电源的电力传送经过所述支撑底座。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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