[发明专利]分光传感器的制造方法有效
| 申请号: | 201280049225.5 | 申请日: | 2012-09-10 |
| 公开(公告)号: | CN103857994A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
| 发明(设计)人: | 柴山胜己;笠原隆 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号: | G01J3/26 | 分类号: | G01J3/26;G02B5/28 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 分光 传感器 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及分光传感器的制造方法。
背景技术
作为现有的分光传感器,已知有具备对应于光的入射位置而使规定的波长的光透过的干涉滤光(filter)部、使入射到干涉滤光部的光透过的光透过基板、检测透过了干涉滤光部的光的光检测基板的分光传感器。在此,干涉滤光部有时通过经由空腔层(cavity layer)而使一对镜层相对而被构成为法布里-珀罗型。
作为这样的分光传感器的制造方法,在专利文献1中记载有以下所述的方法。首先,将一个镜层形成于光检测基板上,之后,由纳米压印法将空腔层形成于该镜层上。接着,将另一个镜层形成于空腔层上,最后,将光透过基板接合于该镜层上。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2008/017490号
发明内容
发明所要解决的问题
然而,对于专利文献1所记载的分光传感器的制造方法来说,存在被制造的分光传感器的可靠性降低的担忧。其理由如以下所述。即,在光检测基板的表面上,存在起因于受光部或配线层等的形成的凹凸,所以在形成于这样的表面的镜层上,即使由纳米压印法来形成空腔层,不能够获得高精度(例如厚度在nm等级)的空腔层的担忧较高。另外,因为以在光检测基板上堆积镜层或空腔层的方式进行形成,所以在各个工艺中对光检测基板造成损坏的担忧较高。
因此,本发明的目的在于提供一种能够获得高可靠性的分光传感器的分光传感器的制造方法。
解决问题的技术手段
本发明的一个观点的分光传感器的制造方法是具备具有空腔层以及经由空腔层而相对的第1以及第2镜层并且对应于入射位置选择性地使规定的波长范围的光透过的干涉滤光部、使入射到干涉滤光部的光透过的光透过基板、检测透过了干涉滤光部的光的光检测基板的分光传感器的制造方法,具备:第1工序,通过对被设置于处理基板上的表面层实施蚀刻从而形成空腔层;第2工序,在第1工序之后将第1镜层形成于空腔层上;第3工序,在第2工序之后将光透过基板接合于第1镜层上;第4工序,在第3工序之后从空腔层除去处理基板;第5工序,在第4工序之后将第2镜层形成于已除去了处理基板的空腔层上;第6工序,在第5工序之后将光检测基板接合于第2镜层上。
在该分光传感器的制造方法中,通过对被设置于处理基板上的表面层实施蚀刻从而形成空腔层。这样,通过使用处理基板并由蚀刻来形成空腔层,从而能够稳定地取得高精度的空腔层。再有,在将空腔层和第1以及第2镜层形成于光透过基板侧之后接合光检测基板。由此,在用于形成空腔层或镜层的各个工艺中能够防止对光检测基板造成损坏。因此,根据该分光传感器的制造方法,可以获得高可靠性的分光传感器。
在此,在第1工序之前将硅氧化膜形成于由硅构成的处理基板的一个主面上,并且可以将该硅氧化膜作为表面层。据此,能够以低成本稳定地取得高质量的空腔层。
另外,在第1工序之前也可以通过对硅基板的一个主面以及另一个主面施以热氧化处理从而将硅氧化膜形成于由硅构成的处理基板的一个主面以及另一个主面上,并且将被形成于处理基板的一个主面或者另一个主面的硅氧化膜作为表面层。据此,因为抑制了处理基板的翘曲,所以能够稳定地取得精度更加高的空腔层。
另外,也可以在第3工序之前预先将使规定的波长范围的光透过的光学滤光层形成于光透过基板上,在第3工序中,以第1镜层与光学滤光层相对的方式将光透过基板接合于第1镜层上。据此,能够有效地使规定的波长范围的光入射到干涉滤光部。
发明的效果
根据本发明,能够获得高可靠性的分光传感器。
附图说明
图1是由本发明的一个实施方式的分光传感器的制造方法进行制造的分光传感器的纵截面图。
图2是图1的分光传感器的空腔层的平面图。
图3是用于说明图1的分光传感器的制造方法的纵截面图。
图4是用于说明图1的分光传感器的制造方法的纵截面图。
图5是用于说明图1的分光传感器的制造方法的纵截面图。
图6是用于说明图1的分光传感器的制造方法的纵截面图。
图7是用于说明图1的分光传感器的制造方法的纵截面图。
图8是用于说明图1的分光传感器的制造方法的纵截面图。
图9是用于说明图1的分光传感器的制造方法的纵截面图。
图10是用于说明图1的分光传感器的制造方法的纵截面图。
图11是用于说明图1的分光传感器的制造方法的纵截面图。
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