[发明专利]分光传感器的制造方法有效

专利信息
申请号: 201280049225.5 申请日: 2012-09-10
公开(公告)号: CN103857994A 公开(公告)日: 2014-06-11
发明(设计)人: 柴山胜己;笠原隆 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: G01J3/26 分类号: G01J3/26;G02B5/28
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 分光 传感器 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种分光传感器的制造方法,其特征在于:

是具备干涉滤光部、光透过基板以及光检测基板的分光传感器的制造方法,所述干涉滤光部具有空腔层以及经由所述空腔层而相对的第1以及第2镜层并且对应于入射位置选择性地使规定的波长范围的光透过,所述光透过基板使入射到所述干涉滤光部的光透过,所述光检测基板检测透过了所述干涉滤光部的光,

所述制造方法具备:

第1工序,通过对被设置于处理基板上的表面层实施蚀刻从而形成所述空腔层;

第2工序,在所述第1工序之后将所述第1镜层形成于所述空腔层上;

第3工序,在所述第2工序之后将所述光透过基板接合于所述第1镜层上;

第4工序,在所述第3工序之后从所述空腔层除去所述处理基板;

第5工序,在所述第4工序之后将所述第2镜层形成于除去了所述处理基板的所述空腔层上;以及

第6工序,在所述第5工序之后将所述光检测基板接合于所述第2镜层上。

2.如权利要求1所述的分光传感器的制造方法,其特征在于:

在所述第1工序之前将硅氧化膜形成于由硅构成的所述处理基板的一个主面上,并且将该硅氧化膜作为所述表面层。

3.如权利要求1所述的分光传感器的制造方法,其特征在于:

在所述第1工序之前通过对硅基板的一个主面以及另一个主面施以热氧化处理从而将硅氧化膜形成于由硅构成的所述处理基板的一个主面以及另一个主面上,并且将被形成于所述处理基板的一个主面或者另一个主面的所述硅氧化膜作为所述表面层。

4.如权利要求1~3中的任意一项所述的分光传感器的制造方法,其特征在于:

在所述第3工序之前预先将使所述规定的波长范围的光透过的光学滤光层形成于所述光透过基板上,

在所述第3工序中,以所述第1镜层与所述光学滤光层相对的方式将所述光透过基板接合于所述第1镜层上。

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