[发明专利]具有特定结晶特征的III-V族衬底材料及其制备方法

权利要求书

1.一种衬底，包含：

主体，所述主体包含III-V族材料并且具有上表面，所述主体包含定义在所述上表面与结晶参考面之间的切割角（α），所述主体还包含不超过大约0.6度的切割角变化（2β）。

2.根据权利要求1所述的衬底，其中，所述切割角（α）不超过大约2度，不超过大约1.5度，不超过大约1度，不超过大约0.8度，不超过大约0.6度，不超过大约0.4度，或不超过大约0.2度。

3.根据权利要求1所述的衬底，其中，所述切割角（α）为至少大约0.1度，至少大约0.2度，至少大约0.3度或者甚至至少大约0.6度。

4.根据权利要求1到3所述的衬底，其中，所述切割角变化（2β）不超过大约0.5度(+/-025度)，不超过大约0.4度，不超过大约0.3度，不超过大约0.2度，不超过大约0.16度，不超过大约0.14度，或者甚至不超过大约0.1度，不超过大约0.08度，或者甚至不超过大约0.06度。

5.根据权利要求1到4中的任意一项所述的衬底，其中，所述切割角变化（2β）为至少大约0.005度或至少大约0.008度。

6.根据权利要求1到5中的任意一项所述的衬底，其中，所述主体包含氮。

7.根据权利要求1到6中的任意一项所述的衬底，其中，所述主体包含镓。

8.根据权利要求1到5中的任意一项所述的衬底，其中，所述主体包含氮化镓。

9.根据权利要求8所述的衬底，其中，所述主体大体上由氮化镓组成。

10.根据权利要求1到9中的任意一项所述的衬底，其中，所述主体包含不超过大约3毫米，不超过大约2毫米，不超过大约1毫米，不超过大约800微米，不超过大约500微米，不超过大约400微米，不超过大约300微米，不超过大约200微米，或不超过大约100微米的平均厚度。

11.根据权利要求1到5中的任意一项所述的衬底，其中，所述上表面包含GaN晶体的Ga面。

12.根据权利要求1到11中的任意一项所述的衬底，其中，所述结晶参考面包含选自a面，m面，r面，c面和半极性面的平面。

13.根据权利要求12所述的衬底，其中，所述结晶参考面是c面。

14.根据权利要求1到11中的任意一项所述的衬底，其中，所述结晶参考面向选自a面，r面，m面和c面的结晶面倾斜。

15.根据权利要求1到14中的任意一项所述的衬底，其中，所述主体包含弓曲，所述弓曲定义了至少大约1.5米，至少大约1.8米，至少大约2米，至少大约2.5米，至少大约3米，至少大约5米，至少大约10米，至少大约50米，至少大约100米，或者甚至至少大约200米的曲率半径。

16.根据权利要求1到15中的任意一项所述的衬底，其中，所述主体包含与所述上表面相对的后表面。

17.根据权利要求16所述的衬底，其中，所述后表面包含GaN晶体的N面。

18.根据权利要求1到17中的任意一项所述的衬底，其中，所述主体包含不超过大约5微米的平行度。

19.根据权利要求1到18中的任意一项所述的衬底，其中，所述主体包含至少大约5.1厘米，至少大约7.6厘米，或至少大约10厘米的直径。

20.根据权利要求1到19中的任意一项所述的衬底，其中，所述主体包含不超过大约1微米，不超过大约0.1微米，不超过大约0.05微米，不超过大约0.001微米或甚至不超过大约0.1纳米的平均表面粗糙度。

21.根据权利要求1到20中的任意一项所述的衬底，其中，所述上表面包含不超过大约1x10⁸cm^-2，不超过大约5x10⁷cm^-2，不超过大约1x10⁷cm^-2，不超过大约5x10⁶cm^-2，或不超过大约1x10⁶cm^-2的缺陷密度。