[发明专利]交流驱动静电吸盘

说明书

技术领域

本发明的形态总体上涉及一种交流驱动静电吸盘。

背景技术

在进行刻蚀、CVD（Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积）、溅镀、离子注入、灰化、曝光、检查等工作的基板处理装置中，静电吸盘作为一种吸附保持被吸附物（半导体晶片或玻璃基板等）的单元被使用。

其间静电吸盘的载置面与被吸附物相互摩擦有可能产生颗粒。另外，静电吸盘的载置面与被吸附物的接触面积增大有可能使被吸附物的吸附脱离响应性变差。

为此，已有公知技术试图在静电吸盘的载置面侧设置突起部以减小接触面积，从而抑制颗粒污染提高被吸附物的吸附脱离响应性。

另一方面，还存在有通过施加多相交流电压，在被吸附基板脱离时不需要进行放电处理，消去被吸附基板振动的静电吸盘装置（参见专利文献1）。但是，专利文献1中记载的静电吸盘装置中，为了在多相电极与被吸附基板之间施加交流电压，存在多相电极中的任意一个与被吸附基板之间的电压变为零的瞬间。于是在位于施加电压为零的电极上的被吸附基板的部分，吸附力局部变为零。因此，有可能会发生被吸附基板局部振动，被吸附基板与静电吸盘装置的载置面局部相互摩擦的问题，这已被本发明人根据自己的研究结果加以判明。

据此，突起部设于静电吸盘的载置面侧时，有可能会发生突起部与被吸附基板局部相互摩擦，从而导致突起部的一部分局部损伤。

专利文献1：日本特开2003-332412号公报

发明内容

本发明是基于对所涉及的课题的认知而进行的，目的在于提供一种交流驱动静电吸盘，其能够抑制对设置在载置面侧的突起部的一部分造成局部损伤。

根据本发明的一个形态，提供了一种交流驱动静电吸盘，具备：电介体基板，具有形成于载置被吸附物侧的主面的突起部与形成于所述突起部周围的底面部；以及电极，设置在所述电介体基板，其中，所述电极包括多个相互分离配设的电极元件，所述多个电极元件能够分别被施加相位各不相同的交流电压，所述突起部根据所述多个电极元件的形状，按规定的间隔配置于所述主面上。

附图说明

图1（a）～图1（c）是用于例示本发明实施方式涉及的交流驱动静电吸盘的模式剖视图；

图2（a）及图2（b）是用于例示本实施方式涉及的交流驱动静电吸盘的变形例的模式剖视图；

图3是例示本实施方式的电极图案的平面模式图；

图4（a）及图4（b）是例示本实施方式的电极与突起部的配置关系的平面模式图；

图5是例示比较例涉及的交流驱动静电吸盘的电极图案的平面模式图；

图6（a）及图6（b）是例示比较例涉及的交流驱动静电吸盘的电极与突起部的配置关系的平面模式图；

图7（a）及图7（b）是用于说明突起部的局部损伤的平面模式图；

图8（a）～图8（c）是放大突起部观察时的放大模式图；

图9是放大直流驱动静电吸盘的突起部观察时的放大模式图；

图10是例示本发明人使用本实施方式涉及的交流驱动静电吸盘实施的被吸附物的位移量的测定结果及模拟结果的一例的曲线图；

图11是表示图10所示的测定结果及模拟结果中测定位置及数据位置的平面模式图；

图12是例示本发明人使用比较例涉及的交流驱动静电吸盘实施的被吸附物的位移量的测定结果及模拟结果的一例的曲线图；

图13是表示图12所示的测定结果及模拟结果中测定位置及数据位置的平面模式图；

图14是例示本实施方式的电极和突起部的其他配置关系的平面模式图；

图15是例示本实施方式的电极与突起部的另一其他配置关系的平面模式图；

图16是例示本实施方式的电极与突起部的另一其他配置关系的平面模式图；

图17（a）及图17（b）是例示本实施方式的电极与突起部的另一其他配置关系的平面模式图；

图18（a）及图18（b）是例示本实施方式的电极与突起部的另一其他配置关系的平面模式图；

图19（a）及图19（b）是例示本实施方式的电极与突起部的另一其他配置关系的平面模式图；

图20（a）及图20（b）是例示本实施方式的电极与突起部的另一其他配置关系的平面模式图；

图21是例示本实施方式的电极与突起部的另一其他配置关系的平面模式图；

图22（a）及图22（b）是选择性配置本实施方式的突起部的模式剖视图；

图23（a）及图23（b）是用于说明突起部的直径的模式剖视图；